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목차
1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
<Reference>
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
<Reference>
본문내용
가하는 것을 알 수 있었다.
그림 4 Curve
VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 두께는 -stepper로 미리 예상치를 실험해 130nm값을 측정하였다. 그리고 L 값은 10, W 값은 200 으로 광학현미경을 통해 측정되었다. 이렇게 측정된 모든 값을 식에 대입하고 이동도의 값을 구하면 370.83cm2/Vs 가 나온다. 이 결과 값은 유기물을 사용한 소자의 이동도가 대략 1cm2/Vs 인 것에 비해 매우 높은 이동도의 값을 나타내었다.
그림 5 Curve
그리고 이 그래프를 그림 6 과 같이 드레인 전류의 log scale로 하여 그래프로 나타낸 후 오른쪽의 선형 영역에서 log(ID)가 한 decade만큼 변화될 때의 기울기를 구해 SS(subthreshold slope)를 구한다. 그 결과 값은 372 mV/decade로 유기물 소자의 대략적인 SS값인 70 mV/decade에 비해 좋지 못했다.
SS(subthreshold slope)
그림 5 Curve
이고 일 때의 OFF 전류와 이고 일 때의 ON 전류를 구하여 ON/OFF ratio의 최대값을 구해보면 5×103 의 값이 나온다. 이 결과 값은 유기물 소자에 비해 다소 떨어짐을 알 수 있었다. 그리고 마지막으로 플렉시블한 특성을 측정하기 위해 그림 6 과 같이 손으로 휘어짐을 측정해 본 결과 유기물 소자와 비슷한 성능을 나타냄을 알 수 있었다.
4. 결 론
wafer-based circuit 수준에 근접하는 성능을 지닌 플렉시블 소자를 만들기 위해서 플라스틱 기판 위에 single-crystal wafer를 선택적으로 에칭하여 획득한 wires, ribbons, bars 등의 형태의 고품질 무기 반도체를 이용하여 전기적 특성을 측정해 보았다. 그리고 기존의 silicon dielectric 대신에 취성이 없는 유기물 절연체 물질인 PVP(Poly Vinyl Phenol)을 이용하여 좀 더 플렉시블 하면서 고성능의 TFT를 만들어 보았다. 그 결과 이동도는 370.83cm2/Vs로 유기물 소자에 비해 뛰어난 성능을 보였으나 SS(subthreshold slope) 값과 ON/OFF ratio 각각 372 mV/decade, 5×103 로 유기물 소자에 비해 성능이 좋지 못한 것으로 결과가 나왔다. 그리고 마지막으로 플렉시블한 특성은 유기물 소자와 크게 다르지 않는 것으로 측정되었다. 이를 통해 유기물소자의 장점이었던 플렉시블한 특성을 그대로 구현하면서 이동도를 매우 증가 시킴으로써 앞서 목표했던 플렉시블한 특성과 전기적 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 소자를 만들어 낼 수 있었다.
[1] 소프트 리소그래피와 표면처리를 이용한 금속 패터닝
[2] 고분자 금형을 이용한 소프트 나노임프린트 리소그래피 (박찬익, 정훈의, 서갑양 / 서울
대학교 기계항공공학부)
[3] Unconventional methods for forming nanopattern (M E Stewart, M J Motala, Jimin
Yao2, L B Thompson, and R G Nuzzo)
[4] http://www.cheric.org/board/view.php?code=f05&seq=11402&page=7
[5] 제6판 고체전자공학, Soid State Electronic Devices (벤 스트리트만, 산제이 배너지)
[6] <디스플레이 기술 및 시장동향> 특별연재·6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희)
그림 4 Curve
VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 두께는 -stepper로 미리 예상치를 실험해 130nm값을 측정하였다. 그리고 L 값은 10, W 값은 200 으로 광학현미경을 통해 측정되었다. 이렇게 측정된 모든 값을 식에 대입하고 이동도의 값을 구하면 370.83cm2/Vs 가 나온다. 이 결과 값은 유기물을 사용한 소자의 이동도가 대략 1cm2/Vs 인 것에 비해 매우 높은 이동도의 값을 나타내었다.
그림 5 Curve
그리고 이 그래프를 그림 6 과 같이 드레인 전류의 log scale로 하여 그래프로 나타낸 후 오른쪽의 선형 영역에서 log(ID)가 한 decade만큼 변화될 때의 기울기를 구해 SS(subthreshold slope)를 구한다. 그 결과 값은 372 mV/decade로 유기물 소자의 대략적인 SS값인 70 mV/decade에 비해 좋지 못했다.
SS(subthreshold slope)
그림 5 Curve
이고 일 때의 OFF 전류와 이고 일 때의 ON 전류를 구하여 ON/OFF ratio의 최대값을 구해보면 5×103 의 값이 나온다. 이 결과 값은 유기물 소자에 비해 다소 떨어짐을 알 수 있었다. 그리고 마지막으로 플렉시블한 특성을 측정하기 위해 그림 6 과 같이 손으로 휘어짐을 측정해 본 결과 유기물 소자와 비슷한 성능을 나타냄을 알 수 있었다.
4. 결 론
wafer-based circuit 수준에 근접하는 성능을 지닌 플렉시블 소자를 만들기 위해서 플라스틱 기판 위에 single-crystal wafer를 선택적으로 에칭하여 획득한 wires, ribbons, bars 등의 형태의 고품질 무기 반도체를 이용하여 전기적 특성을 측정해 보았다. 그리고 기존의 silicon dielectric 대신에 취성이 없는 유기물 절연체 물질인 PVP(Poly Vinyl Phenol)을 이용하여 좀 더 플렉시블 하면서 고성능의 TFT를 만들어 보았다. 그 결과 이동도는 370.83cm2/Vs로 유기물 소자에 비해 뛰어난 성능을 보였으나 SS(subthreshold slope) 값과 ON/OFF ratio 각각 372 mV/decade, 5×103 로 유기물 소자에 비해 성능이 좋지 못한 것으로 결과가 나왔다. 그리고 마지막으로 플렉시블한 특성은 유기물 소자와 크게 다르지 않는 것으로 측정되었다. 이를 통해 유기물소자의 장점이었던 플렉시블한 특성을 그대로 구현하면서 이동도를 매우 증가 시킴으로써 앞서 목표했던 플렉시블한 특성과 전기적 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 소자를 만들어 낼 수 있었다.
[1] 소프트 리소그래피와 표면처리를 이용한 금속 패터닝
[2] 고분자 금형을 이용한 소프트 나노임프린트 리소그래피 (박찬익, 정훈의, 서갑양 / 서울
대학교 기계항공공학부)
[3] Unconventional methods for forming nanopattern (M E Stewart, M J Motala, Jimin
Yao2, L B Thompson, and R G Nuzzo)
[4] http://www.cheric.org/board/view.php?code=f05&seq=11402&page=7
[5] 제6판 고체전자공학, Soid State Electronic Devices (벤 스트리트만, 산제이 배너지)
[6] <디스플레이 기술 및 시장동향> 특별연재·6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희)
추천자료
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- 페이지수8페이지
- 등록일2008.06.23
- 저작시기2008.6
- 파일형식한글(hwp)
- 자료번호#859366
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