다이오드의 특성

목차

1.제목

2.목적

3.이론

4.방법

본문내용

더 가깝게 가져올 수 있다. 그러나
V_Z
가 매우 낮은 레벨까지, 즉 -5
V
정도로 감소시키면 Zener 항복(Zener breakdown)이라는 다른 메커니즘이 특성의 변화에 관여하게 된다. 이것은 원자내부의 결합력을 분쇄할 수 있는 강한 전계가 접합영역에서 일어나고 캐리어를 "생성"한다. 비록 Zener 항복 메커니즘이
V_Z
의 낮은 레벨까지 크게 기여하지만, 어느 레벨에서든 특성의 급격한 변화를 Zener영역(Zener Region)이라고 하며, pn접합의 특성에서 이 특유한 부분이 이용되는 다이오드를 제너 다이오드(Zener diode)라한다.
제너 다이오드의 특성은 거의 수직으로
V_z
인 역바이어스전압에서 떨어진다. 곡선은 양의
V_D
영역에서 위로 상승하면서 수평축에서 멀어지지만,
V_z
영역에서는 밑으로 떨어지면서 수평축에서 멀어진다. 즉, 제너영역에서의 전류는 순방향 바이어스된 다이오드의 전류와 반대방향이 된다.
제너영역의 위치는 도핑 정도를 변화시킴으로써 제어된다. 불순물첨가를 증가시킴으로써 도핑 정도는 증가하여 제너전압은 낮아진다.
4. 실험방법
①싱크로스코프의 기본조정을 행한다.
②교류전원장치의 전압조정을 출력이 영의 위치로 하여 스위치를 닫는다.
③교류전원장치의 전압조정에 의하여 전원장치의 전압계의 지시를 12V로 조정한다.
④a-b 간의 전압파형의 c-d 간의 전압파형을 싱크로스코프로 관찰한다.
5. 측정기기
①정류용 다이오드 ( 100~300 V , 1~5 A 정도) 1개
②고정저항 (200 Ω, 2 W 정도) 1개
③교류전원장치 12V 1대
④싱크로스코프 1대

키워드

다이오드,   특성,   도체,   도체다이오드,   반도체,   도핑