반도체 공정과 리소그래피 개요

목차

반도체 (집적회로) 공정

Lithography 개요
Lithography
Lithography 과정
Clean Wafer
PhotoResist coating
PhotoResist
Bake
Mask 제작
Mask Alignment
Expose
Develop
Etching

Light Source
Optical lithography
Non-Optical Lithography

본문내용

Lithography 란?
집적회로 제조과정에서 마스크(mask) 상의 회로 패턴을 웨이퍼(wafer)
위에 옮기를 공정
석판화 기술, 인쇄 기술 : litho(돌) + graphy(그림, 글자)
Clean Wafer
Wafer 표면의 유기물, 이온, 금속 불순물의
오염을 막기 위해 화학적으로 세척
HF 용액 : 산화막 제거를 위해 사용
DI(DeIonized) Water : 오염물질을 제거한 매우 순수한 물
물의 저항 : 18㏁-㎝ , 입자크기 : 0.25㎛이하 , 박테리아수 1.2/㎣ 이하
PhotoResist coating
감광제 도포(Positive or Negative)
1000 ~ 5000 rpm 정도로 회전
약 30 ~ 60초
점도, 스핀 속도와 시간
☞ 두께와 균일성에 영향
Si 표면과 PR간의 접착력 향상
→ HMDS 사용

키워드

리소그래피,   lithography,   반도체공정,   개요,   exposure,   light source