12차 NGFM의 효과

소개글

12차 NGFM의 효과에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. NFGM의 정의

2. NFGM 주요 특징 및 나노점의 형성

3. 양자 구속 효과 (Quantum Confinement Effect)

4. Coulomb Blockade Effect

본문내용

ce, drain contact에 coupling된다. drain 전압이 가해지면 electron은 두 개의 tunneling junction과 island를 통해 tunneling된다. 이때, source, drain은 동일하고, T=0이라고 가정한다.
그림 6.10b는 평형상태 밴드 프로파일(equilibrium band profile)을 나타낸다. T=0에서 Fermi level 아래의 모든 state들은 채워져 있고 위에 존재하는 state들은 비워져 있다. Island가 metal로 구성되어 있더라도 energy gap은 highest filled state와 lowest empty state 사이에 존재한다.
: Total Capacitance of the Island
만일, 작은 Drain 전압이 가해진다면, Source와 Drain Fermi Level 사이에 Energy Level이 존재하지 않고 Current가 흐르지 않는다. 그림 6.10d는 VD=0에 가까운 Blockade 영역에서 소자의 I-V 특성 곡선을 보여준다. 이러 한 현상은 Coulomb Blockade라고 한다. Coulomb Blockade의 Threshold Voltage는 Fermi level의 위치와 두 개의 Tunneling Junction의 Capacitance에 영향을 받는다. 만일 Equilibrium Fermi level이 Gap의 중간에 있다면 두 개의 Tunneling Junction은 동일하고 Blockade Threshold Voltage는 가 된다. 그림 6.10c에서 보는 바와 같이, Drain 전압이 걸리면 Drain Fermi level은 까지 내려간다. 가해진 전압이 Two Junction에 동일하게 걸리기 때문에 Island의 Voltage는 까지 내려간다. Island의 Source와 Drain Fermi level이 Lowest Empty State와 Highest Filled State에 각각 정렬된다. Threshold Voltage를 가해주고 Drain 전압을 약간 증가시키면 전류가 흐르게 된다.
Reference
http://emille.kimm.re.kr/support/pdf/1602-01.pdf
http://kisti.re.kr/yesKISTI/Briefing/Analysis/Print.jsp?seq=569&what=ANAL
http://cnmt.kist.re.kr/attach_image/tmme-mhlee.PDF
http://dowonoptic.com/MBoard/upload/NT%20.doc
http://cgi.postech.ac.kr/cgi-bin/class/eece557/spboard/board.cgi?id=nano&action=download&gul=28
http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/481_article.pdf
http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/483_article.pdf

키워드

NFGM,   플래쉬 메모리,   플로팅 게이트,   부유게이트,   질화막내