전자회로 실험 보고서

소개글

전자회로 실험 보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. Introduction
2. Problem Statement
3. Implementation
4. Result
5. Conclusion & Evaluation

본문내용

로 구한 값을 비교해 보시오. 그 차이가 있다면 원인을 설명해 보시오.
-> kn = 0.959mA/V2 , Vt = 0.62V , gm = 1.098mA/V
두가지 방법으로 구한 트랜스컨덕턴스는 두배의 차이가 났는데, 그 이유는 ro를 무시해서 정확한 값에서 차이가 난 것 같다. 실제로는 전압이득 Av = gm*ro//RL인데 ro를 무시하여 트랜스 컨덕턴스의 값에 차이가 난 것 같습니다.
-> υc와 υa 측정
측정 :
c) 입력 신호를 0으로 하고, V2를 +15V로 설정한 후, VC=5V가 될 때까지 V1을 키우고, 이 때 V1을 측정하시오.
d) 이제, 노드 I에서 주파수 1kHz의 1V VPP인 사인파를 입력하고, 노드 A와 C의 신호를 측정하시오. 노드 A에서 노드 C의 전압 이득은 얼마인가? gm을 계산하시오.
도표 작성 : V1, IC, υb, υc, υc/υb, gm.
V1
υc
υa
υc/υa
gm
2.6V
2.82V
208mV
13.56V/V
1.356mA/V
분석 : 이 실험을 통해서 얻어진 gm과 바이어스 데이터를 이용하여 트랜지스터의 와 값을 구해보시오.
-> 와 을 이용하여 계산하면
= 1.125V , k = 0.919mA/V2이 나온다.
-> υc 와 υa 측정
E2.2 신호 왜곡
실험 장치 :
○ 그림 5.4회로에서 V2=15V 그리고 V1은 VC=5V가 되도록 조정하고, 0.1Vpp이고 1kHz의 삼각파를 노드 I에 인가하시오.
입력전압
υa
υc
υc/υa
100mV
3.00V
780mV
3.84V/V
120mV
3.64V
740mV
4.92V/V
140mV
3.92V
780mV
5.02V/V
160mV
4.64V
780mV
5.95V/V
180mV
5.50V
740mV
7.43V/V
-> 출력전압이 너무 작게 나와서 감쇠율을 조정해서 원래 전압보다 10배 크게 나오게 하였습니다.
-> 100 mV
-> 120 mV
-> 140 mV
-> 160 mV
-> 180 mV
5. Conclusion & Evaluation
-> 이번 실험을 통해 MOS의 문턱전압과 k의 값을 어떻게 측정하는지 알게 되었습니다. 그리고 회로를 구성하고, 전압을 측정하여 MOS의 트랜스컨덕턴스를 구하면서 이론으로 배운 것을 확인하여서 좋았습니다. 마지막 실험에서 입력전압이 너무 작아서 측정전압이 자꾸 바뀌어서 측정하기 너무 힘들었습니다. 그래도 MOS에 대해 잘 알게 되어서 좋았습니다.

키워드

전자회로 실험 보고서,   MOS의 파라미터,   PMOS 소자 파라미터 측정,   NMOS 소자 파라미터의 측정,   디바이스 상호 컨덕턴스,   신호 왜곡