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해서 말을 하면 전자빔 증착 방식은 15KeV 까지의 에너지를 가진 고강도 전자선이 증발될 물질을 포함하고 있는 소스 표적에 집중이 된다. 그리고 전자빔으로부터 나오는 에너지가 표적의 일부분을 녹이게 되고, 물질은 소스로부터 증발되어 실리콘 웨이퍼를 얇은 층으로 덮게 된다.
3. 기본 E-Beam 증착 가능 물질 및 제한물질에 대한 조사
열에 의해 증착하고자 하는 재료를 증발시켜 기판에 증착시키는 방법으로서 이는 고진공(10-5 torr 이하)하에서 수냉 도가니를 사용하므로 저항가열식의 단점인 오염이 비교적 적고 고에너지를 가진 열전자를 접속하기 때문에 고 융점 재료도 증착을 할 수가 있다. 즉 모든 금속, 화합물, 내화물 재료, 금속간 화합물, 세라믹 등 거의 모든 재료를 날려 보내 증착이 가능하다.
3. 기본 E-Beam 증착 가능 물질 및 제한물질에 대한 조사
열에 의해 증착하고자 하는 재료를 증발시켜 기판에 증착시키는 방법으로서 이는 고진공(10-5 torr 이하)하에서 수냉 도가니를 사용하므로 저항가열식의 단점인 오염이 비교적 적고 고에너지를 가진 열전자를 접속하기 때문에 고 융점 재료도 증착을 할 수가 있다. 즉 모든 금속, 화합물, 내화물 재료, 금속간 화합물, 세라믹 등 거의 모든 재료를 날려 보내 증착이 가능하다.
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