박막 공정 요점 정리

소개글

박막 공정 요점 정리에 대한 보고서 자료입니다.

목차

▶ 스퍼터링의 정의

▶ sputtering의 발생

▶ Sputtering의 장점

▶ 스퍼터링 공정

▶ 스퍼터링 코팅의 종류

▶ 스퍼터링의 응용

▶ 기체 방전

▶ Target 표면의 반응

▶Substrate 표면반응

▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이온에너지, 이온 조사 각도,
이온종류

▶ 스퍼터링 공정 장치 개발

▶ EC planar sputtering의 단점

▶ Triode Sputtering

▶ Magnetron Sputtering

▶ RF Sputtering

▶ Ion Beam Sputtering

▶ 피막 형성

▶ 피막 조직

▶ 피막과 모재 계면 특성

▶ Epitaxial Growth

▶ Volmer - Weber Mode

▶ Stranski - Krastonov Mode

▶ Frank van der Merwe Mode

▶ 화학 증착법

▶ Thermally activated CVD

▶ CVD sources used and criteria for choice

▶ Hot wall reactor

▶ Cold wall reactor

▶ Parallel flow


▶ Normal flow

▶ 율속지배단계

본문내용

r industry
Electron beam
·전자빔을 이용하여 증발시키는 방법
·증발이 어려운 물질이나 반응성이 높은 원소에도 사용가능
·Optics
·Bond
·Thermal barriers
·Many areas covered by Metallised sheet
Arc
·고진공 상태에서 증착되는 과정
·큰 molten pool의 형성을 억제하여 어떠한 방향으로도 arc source 유지가 가능.
·자기적으로 제한되는 cathode spot은 특정 경로의 통제가 가능하고, molten droplet의 크기와 주기가 조절 가능.
·코팅의 multilater와 graded composition 가능
·Conducting layers
Laser
·높은 전력 밀도를 얻기 위해 사용
·고 에너지 종의 산물로서 박막의 질을 향상할 수 있다.
·타겟과 박막의 화학량론적인 전이가 좋다.
·Superconducting films
② Hertz-Knudsen formula 유추방법
- Step 1 : F =
{ 1} over { 4}
n [ molecules m-2s-1 ]
- Step 2 : n = N / V = P / (kT) [ molecules m-3 ]
- Step 3 : =
SQRT { { 8kT} over {m pi } }
[ ms-1 ]
- Step 4 : F =
{ p} over { SQRT { 2 pi mkT} }
[ molecules m-2s-1 ]
13. ARE와 다른 process와의 비교
① 화합물 증착을 위하여 반응을 촉진시킨다.
② 성장속도를 조절하여 증착층의 미세조직을 조절한다.

키워드

박막,   공정,   스퍼터링,   CVD,   PVD,   박막 공정,   증착