cmp Chemical Mechanical Polishing 화학적 기계적 연마

목차

Chemical Mechanical Polishing 기초 자료 수집

Chemical Mechanical Polishing 정의와 구조도

기본 원리

작동 원리

구성 요소

공정 변수

역학적 문제점

역학적 문제 해결방안

본문내용

Polisher : 일정한 압력과 속력으로 회전하며 막을 Polishing하는 장치
Post Cleaner : Polishing 완료후 Wafer 표면의 이물질을 제거하는 장치
Slurry : Chemical Polishing 요소를 갖는 연마제
Pad : Mechanical Polishing 요소를 갖는 연마포
Slurry Distributor : Polisher에 Slurry를 공급하는 장치
CMP공정에는 수많은 변수들이 작용하는데, 그 중에서도 CMP 장치 자체에서 조절 가능한 변수들은 다음과 같다.
=> 연마압력, 상대속도, 배면압력, 슬러리 공급

키워드

Chemical Mechanical Polishing,   cmp,   화학적 기계적 연마,   연마