실험 21. 메모리 회로(예비보고서)
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소개글

실험 21. 메모리 회로(예비보고서)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

▣ 실험 목적
▣ 실험 이론

(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
5. Dynamic RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
6. RAM 전원공급 차단시 데이터 값이 유지되지 않는 이유를 설명하라.

본문내용

시간(access time)이라 한다.
② Cell 밀도
RAM에서 1비트 정보를 저장하는 장소를 Cell이라고 하는데, RAM에 Cell의 개수가 몇 개인지를 나타내는 것이 Cell밀도이다. Cell이 많을수록 고용량 RAM이 된다.
③ 비트당 비용 (Cost per bit)
반도체 공정에서 한 셀을 만드는데 드는 비용
4. Static RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
SRAM에서 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여섯 개의 트랜지스터를 필요로 한다.
5. Dynamic RAM의 기본적인 구성방법과 그 사용방법을 설명하라.
DRAM은 트랜지스터 한 개와 캐패시터 한 개로 구성된다. 데이터의 저장은 캐패시터에서 이루어진다. 일정시간이 지나면 캐패시터의 내부 전하가 방전되기 때문에 상태를 유지하기 위해서는 전하를 다시 채워주는 refresh회로가 추가로 필요하다.
6. RAM 전원공급 차단시 데이터 값이 유지되지 않는 이유를 설명하라.
SRAM은 트랜지스터로 구성이 되어있고, DRAM은 트랜지스터와 캐패시터로 구성이 되어있다. 캐패시터는 전원이 꺼지면 재충전 과정이 없어지기 때문에 데이터 값이 유지되지 않는다. 트랜지스터도 전원이 꺼지면 데이터 손실이 생긴다. 즉, 전원공급이 차단되었을때 데이터를 유지할 수 없는 소자인 캐패시터와 트랜지스터로 구성된 RAM은 휘발성일 수밖에 없다.
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  • 등록일2011.09.29
  • 저작시기2010.11
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#704836
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