예비 실험4. 정궤환 회로

목차

< 1. 목 적 >

< 2. 이 론 >

< 3. 실험 과정 및 실험 결과 예상 (시뮬레이션) >

< 4. 참 고 문 헌 >

본문내용

.
(6) 표에 주어진 나머지 과 의 값에 대해 과정 (4)와 (5)를 반복하라.
사각파 발생회로
PSpice를 통한 사각파 발생회로 시뮬레이션
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과
()
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과
()
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과
()
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과
( )
∴ VTH(이론값)
= = 1.356V
∴ VTL(이론값)
= = -1.365V
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과
()
R1 (㏀)
C1 (F)
+Vsat (V)
-Vsat (V)
VTH (V)
VTL (V)
10
0.05
14.613
-14.613
1.690
-1.725
22
0.05
14.613
-14.613
1.496
-1.509
4.7
0.05
14.614
-14.613
2.053
-2.046
10
0.02
14.614
-14.613
2.215
-2.209
10
0.1
14.613
-14.613
1.502
-1.574
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과 사각파 발생회로(R1 & C1 에 따른 Vsat & VTH )
R1 [kΩ]
C
[μF]
fo [Hz]
계산치
측정치
10
0.05
(∵)
22
0.05
(∵)
4.7
0.05
(∵)
10
0.02
(∵)
10
0.1
(∵)
PSpice를 통한 시뮬레이션 결과 사각파 발생회로 데이터 작성표
- 시뮬레이션 결과, 이론값과는 조금 다른 값들을 얻은 것을 볼 수 있다. 일단 VTH와 VTL의 측정값이 계산값과 오차가 있는데 이는 R1과 C1의 영향으로 반전 슈미트 트리거의 경우의 값보다 더 큰 값을 얻은 것 같다. 또 fo도 측정값과 계산값에 오차가 있는데 이는 OP AMP의 내부저항 값을 무시하고 이론값을 계산하여 발생한 오차인 것 같다. 그렇지만 R1과 C1의 변화에 따른 주기의 변화양상은 같게 얻을 수 있었는데 R1과 C1가 커짐에 따라 주파수 fo는 작아지고 R1과 C1가 작아지면 fo는 커지는 것을 볼 수 있다. 즉 주파수가 R1과 C1에 반비례 하는 이론식을 실험적으로 확인 할 수 있었던 것이다.
< 4. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 디지털 디자인, John F. Wakerly, 사이텍미디어, 2008.

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