전기전자 리포트 트랜지스터

소개글

전기전자 리포트 트랜지스터에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.BJT(Bipolar Junction Transistor) 쌍극성(양방향) 접합 트랜지스터BJT 동작 원리

2..FET(Field Effect Transistor)

3..BJT와 FET 차이점(비교)

본문내용

입 출력 임피던스가 높아서 전압 증폭 소자로 사용
- 소형화 가능, 전력소비 적어 대규모 IC에 적합(u-p, 메모리 등)
가장대표적인 형태인MOS-FET (metal oxide semiconductor)
3..BJT와 FET 차이점(비교)
BJT는 B에 직접 전류를 흐르게 하는 반면에 FET는 G에 전류가 흐르지 않습니다.
그리고 BJT는 FET보다 크기가 크고 증폭이 더 많이 됩니다.
BJT는 크기가 크기 때문에 요즘 많이 쓰이지 않게 되었고, FET는 RAM,CPU등등 일반적으
로 반도체가 들어가는 제품에 거의 다 들어가 있습니다.
구 분
FET
BJT
동작원리
다수 캐리어에 의해서만 동작
다수 및 소수 캐리어에 의해서 동작
소자특성
단극성 소자
쌍극성 소자
제어방식
전압제어 방식
전류제어 방식
입력 저항
매우 크다
보통
동작 속도
느리다
빠르다
잡음
적다
많다
이득 대역폭
작다
크다
집적도
높다
낮다
공통 이미터 회로/접지(Common Emitter)
○이미터입력과컬렉터출력이베이스를공통단 자로사용한다.
○교류분에대하여B-공통,E-입력,C-출력인 회로로주파수특성이좋다.
공통 베이스 회로/접지(Common-Collector)
○ 베이스 입력과 컬렉터 출력이 이미터를
공통단자로 사용한다.
○교류부에 대해 E-공통 , B-입력, C-출력 인 회로로 주파수 특성이 좋다.
공통 컬렉터 회로/접지(Common-Base)
○베이스입력과이미터출력이컬렉터를공통단자로사용한다.
○교류분에대해C-공통,B-입력,E-출력인
회로로임피던스변환이나안정된증폭에사용된다
트랜지스터의 회로구성
공통 소스 증폭기 (회로)
(common source circuit)
○FET 동작의 선형영역내의 입력을 바이어스
○저항 RG의 용도
- 게이트에 거의 0V의 직류전압을 유지
- 큰 저항으로 인해 교류 신호 입력이 인가되는 것을 억제
○바이패스 커패시터 C2는 FET 소스를 실제적으로 교류 접지
공통 게이트 증폭기 (회로)
(common gate circuit)
○공통게이트 증폭기는 공통베이스
(증폭기BJT)와 유사
○낮은입력저항 Rin(source) = 1/gm
○전압이득은공통소스증폭기와 동일
(Av = gmRd)
공통 드레인 회로
(Common drain circuit)
○공통 드레인 증폭기는
공통소스증폭기(BJT)와 유사
○소스전압이 입력 게이트 전압과
같고위상이 동일⇒소스폴로어
○전압이득은 항상 1보다 적고,
출력전압이 소스에 있으므로
출력전압은 입력(게이트) 전압과 동상
FET의 회로구성
-참고자료-
][전자회로] #1. BJT(Bipolar Junction Transistor)의 이해 (명칭과 동작)|작성자테리
위키페디아 (영문) : http://en.wikipedia.org/wiki/BJT
http://blog.naver.com/unipels232?Redirect=Log&logNo=90023762588
전자회로(I) ,정동명교수님저,인터비전
○전자회로, ALBERT PAUL MALVINO 저
○GOOGLE 검색을통한사진자료
○전자회로강의자료참고.

키워드

전기전자공학개론,   트랜지스터,   BJT,   FET