본문내용
ime : 40ms
VOFF = 0, VAMPL = 200V, FREQ = 60HZ
R1 = 1K, D1N4148 다이오드
R = 100Ω
다이오드를 거쳐 캐패시터로 간 전압이 캐패시터에 의해 평활 된다는 것을 확인 할 수 있다.
42. 다이오드의 정류, 평활 작용
Transinet : Print step 10ms , Final time : 40ms
VOFF = 0, VAMPL = 200V, FREQ = 60HZ
R1 = 1K, D1N4148 다이오드
R = 10Ω => 35번에 비해 저항을 낮췄더니 평활도가 떨어진다는 것을 확 인 할 수 있다.
43. DIODE의 순방향/ 역방향 특성
DC SWEEP : START -1, END +1, INCREMENT 0.01
VDC = 10V, R3 = 10Ω, D1N4148 다이오드
한 쪽 방향으로만 전류가 흐르는 것을 확인 할 수 있다.
44. DIODE의 온도에 따른 특성
DC SWEEP : START -1, END +2, INCREMENT 0.01
PARAMETRIC TEMPERATURE-100, 0 100
=> 온도가 높을수록 더욱 더 높은 전류가 흐르는 것을 확인 할 수 있다.
45. 트랜지스터의 Vce - Ic 특성
IDC = 5mA, V2 = 5V, Q1 = Q2N2222
DC SWEEP : START 0, END 6, INCREMENT 0.1
NESTED SWEEP CURRENT,
START 0, END 5mA, Increment 0.5mA
46. BAND REJECTION FILTER
AC SWEEP DECADE 해석
1000, START 1, END 1K
특정영역의 주파수를 차단하는 회로(16Hz)
47. R 회로의 정현파 분석
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms R1 = 10Ω,
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
48. C회로의 정현파 분석
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms C = 1m
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1) 전류 파형
2)전압파형
49. L회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms L = 10mH
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
50. R-C 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, C = 1uF, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2) 전압파형
51. R-L 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
52. R-C 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, C = 1uF, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압파형
53. R-L 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=10mH, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류파형
2)전압파형
54. L-C 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
55. R-C 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류파형
2)전압파형
56. R-L-C 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms,
R =1Ω, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
57. R-L-C 직렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms,
R =1Ω, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
58. 트랜스포머 회로
VOFF = 0, VAMPL = 0, f = 200Hz
coupling coeff = 0.999
1차 권선수 = 1000, 2차 권선수 = 4000
Transient(1u, 10ms)
R1에 걸리는 전압에 비해 R2에 걸리는 전압이 권선수비에 따라서 4배 더 강해졌다.
59. 능동소자 검증회로(DIODE의 문턱전압구하기
R= 1K , D1N4118 다이오드,
DC SWEEP(0~10V, INCREMENT 0.01)
문턱전압은 약 0.5V 정도임을 확인 할 수 있다.
)
60. 제너다이오드의 전압 전류 특성 구하기
R= 1K , D1N750 다이오드,
DC SWEEP(-20~10V, INCREMENT 0.01)
전압이 음일 경우 -4V, 전압이 양일 경우 1V부터 문턱을 넘어 전류가 발생하기 시작한다.
61. 트랜지스터의 3가지 영역
V1을 0~2V 까지 DC SWEEP
Vbe가 0.6V 내외에서 증폭작용을 하게 되며 그 이상의 전압에서는 포화영역으로 가게되어 ON 상태가 되고, 콜렉터 출력전압이 0에 수렴하게 된다. 반대로 Vbe가 0.6이하의 영역으로 가게 되면 차단영영이 되어 off됨으로 인해 콜렉터 출력전압이 10V에 가깝게 될 것이다.
VOFF = 0, VAMPL = 200V, FREQ = 60HZ
R1 = 1K, D1N4148 다이오드
R = 100Ω
다이오드를 거쳐 캐패시터로 간 전압이 캐패시터에 의해 평활 된다는 것을 확인 할 수 있다.
42. 다이오드의 정류, 평활 작용
Transinet : Print step 10ms , Final time : 40ms
VOFF = 0, VAMPL = 200V, FREQ = 60HZ
R1 = 1K, D1N4148 다이오드
R = 10Ω => 35번에 비해 저항을 낮췄더니 평활도가 떨어진다는 것을 확 인 할 수 있다.
43. DIODE의 순방향/ 역방향 특성
DC SWEEP : START -1, END +1, INCREMENT 0.01
VDC = 10V, R3 = 10Ω, D1N4148 다이오드
한 쪽 방향으로만 전류가 흐르는 것을 확인 할 수 있다.
44. DIODE의 온도에 따른 특성
DC SWEEP : START -1, END +2, INCREMENT 0.01
PARAMETRIC TEMPERATURE-100, 0 100
=> 온도가 높을수록 더욱 더 높은 전류가 흐르는 것을 확인 할 수 있다.
45. 트랜지스터의 Vce - Ic 특성
IDC = 5mA, V2 = 5V, Q1 = Q2N2222
DC SWEEP : START 0, END 6, INCREMENT 0.1
NESTED SWEEP CURRENT,
START 0, END 5mA, Increment 0.5mA
46. BAND REJECTION FILTER
AC SWEEP DECADE 해석
1000, START 1, END 1K
특정영역의 주파수를 차단하는 회로(16Hz)
47. R 회로의 정현파 분석
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms R1 = 10Ω,
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
48. C회로의 정현파 분석
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms C = 1m
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1) 전류 파형
2)전압파형
49. L회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms L = 10mH
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
50. R-C 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, C = 1uF, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2) 전압파형
51. R-L 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
52. R-C 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, C = 1uF, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압파형
53. R-L 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=10mH, R = 10 Ω
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류파형
2)전압파형
54. L-C 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
55. R-C 직렬 회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류파형
2)전압파형
56. R-L-C 병렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms,
R =1Ω, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
57. R-L-C 직렬회로
인자 설정 : V1=0 , V2=100, TD=0, TR=0, PW=10ms, PER=20ms,
R =1Ω, L=1mH, C = 1mF
Transient(Print step : 1u, Final Time : 50ms)
1)전류 파형
2)전압 파형
58. 트랜스포머 회로
VOFF = 0, VAMPL = 0, f = 200Hz
coupling coeff = 0.999
1차 권선수 = 1000, 2차 권선수 = 4000
Transient(1u, 10ms)
R1에 걸리는 전압에 비해 R2에 걸리는 전압이 권선수비에 따라서 4배 더 강해졌다.
59. 능동소자 검증회로(DIODE의 문턱전압구하기
R= 1K , D1N4118 다이오드,
DC SWEEP(0~10V, INCREMENT 0.01)
문턱전압은 약 0.5V 정도임을 확인 할 수 있다.
)
60. 제너다이오드의 전압 전류 특성 구하기
R= 1K , D1N750 다이오드,
DC SWEEP(-20~10V, INCREMENT 0.01)
전압이 음일 경우 -4V, 전압이 양일 경우 1V부터 문턱을 넘어 전류가 발생하기 시작한다.
61. 트랜지스터의 3가지 영역
V1을 0~2V 까지 DC SWEEP
Vbe가 0.6V 내외에서 증폭작용을 하게 되며 그 이상의 전압에서는 포화영역으로 가게되어 ON 상태가 되고, 콜렉터 출력전압이 0에 수렴하게 된다. 반대로 Vbe가 0.6이하의 영역으로 가게 되면 차단영영이 되어 off됨으로 인해 콜렉터 출력전압이 10V에 가깝게 될 것이다.
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