전기전자 -다이오드(Diode)에 관해서

소개글

전기전자 -다이오드(Diode)에 관해서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 다이오드의 개요
2. 다이오드의 종류
3. 다이오드 회로도 기호
4. 다이오드의 동작원리

본문내용

콘에 각각 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층 생성하고 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가 없는 절연영역이며, 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해합니다. 전자나 정공이 공핍층을 통화가기 위해서는 일정 이상의 전압이 필요하며, 이 전압을 전위장벽이라고 하고, 일반적으로 실리콘(Si)은 0.7V, 게르마늄(Ge)은 0.3V가 필요합니다.
순방향 바이어스 &역방향 바이어스의 동작원리
순방향 바이어스(+ : P형, : N형)
양전위가 가해진 P형의 정공이 N형으로 이동하고 음 전위가 가해진 N형의 전자가 P형으로 이동하며 공핍층이 축소되며, 정공과 전자(캐리어)의 이동이 월활하여 전류가 흐르게 된다.
역방향 바이어스(- : P형, + : N형)
음전위가 가해진 P형의 정공이 전원쪽으로 이동하고 양전위가 가해진 N형의 전자도 전원쪽으로 이동하며 공핍층이 증가됩니다.
가해진 전압의 크기가 클수록 공핍층은 넓어지며, 공핍층을 통과하는 소수 캐리어의 의한 역방향 누설전류가 발생되고, 또한 정공과 전자(캐리어)의 이동이 원활하지 못하며 역방향 누설전류 외에 전류가 흐르지 못하게 됩니다.

키워드

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