[화학공학] wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제 (Types and sources of contamination, Wet cleaning, Dry cleaning)

소개글

[화학공학] wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제 (Types and sources of contamination, Wet cleaning, Dry cleaning) 에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Wafer cleaning


1. Types and sources of contamination

2. Wet cleaning
1) RCA cleaning
2) Piranha 세정
3) DHF cleaning (Dilute HF cleaning)
4) Ozone cleaning
5) IMEC cleaning
6) Ohmi cleaning

3. Dry cleaning
1) CO2 세정
2) Plasma 세정(, NF3/H2 plasma, H2 plasma, H2/Ar plasma 세정 등)
3) UV 세정
4) Laser 세정
5) UV/Cl2 세정
6) Sputter cleaning
7) Purely thermally enhanced cleaning
8) Vapor phase cleaning

본문내용

1. Types and sources of contamination

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　≪ 그 림 ≫

Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants – 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다.
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.


2. Wet cleaning
　: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　<용도에 따른 약품 분류>

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　≪ 표 ≫


　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　<약품의 성분, 주요용도>

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　≪ 표 ≫

　1) RCA cleaning
　　① Organic contaminants제거(Organic Clean)
　　② Thin oxide layer제거 (Oxide Strip)
　　③ Ionic contamination제거(Ionic Clean)

키워드

화학공학,   세척,   웨이퍼,   세정,   Wafer,   wafer cleaning,   Dry cleaning,   Wet cleaning,   웨이퍼 세척