반도체 제조 기술-화학시상증착 CVD 공정 (CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정, CHIP Package 종류와 두께, Wafer 두께의 발전).pptx

소개글

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목차

CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정


화학기상증착 공정이란?
CVD 공정의 유형들
APCVD (Atmospheric Dressure CVD)
LPCVD (Low Pressure CVD)
PECVD (Plasma Enhanced CVD)
IC제조에 있어 주된 CVD 공정들의 예
CVD 방법의 장점



CHIP Package 종류와 두께

LEAD 삽입형 IC Package
표면실장형 IC Package
BGA (Ball grid array)
BGA SPEC
SOJ SPEC
QFP (Quad Flat Package)
LGA (Land grid array)



Wafer 두께의 발전

Evolution of Chip Packages
Wafer thinning and sawing
Die Thickness Roadmap
Die Thickness Trends
fcBGA Package Configurations
MCP Packaging Technology Trend

본문내용

CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정




화학기상증착 공정이란?

◉ 화학 반응을 수반하는 증착기술로서 부도체, 반도체, 그리고 도체 박막의 증착에 있어 모두 사용될 수 있는 기술

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　≪ 그 림 ≫

<기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술>




CVD 공정의 유형들

◉ APCVD (Atmospheric Dressure CVD)
◉ LPCVD (Low Pressure CVD)
◉ UHVCVD (Ultra-high vaccum CVD) 초고진공화학기상증착
◉ DLICVD (Direct liquid injection CVD)
◉ AACVD (Aerosol-assisted CVD)
◉ MPCVD (Microwave Plasma CVD)
◉ PECVD (Plasma Enhanced CVD)
◉ ALCVD (Atomic Layer CVD)




APCVD (Atmospheric Dressure CVD)

◉ 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온반응하고 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속화합물층을 석출시키는 방법.

◉ 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데 이때 Chamber 상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착.

키워드

반도체,   화학,   증착,   CVD,   제조,   칩,   공학,   공정,   VAPOR,   반도체 제조