실험09 정류회로와 트랜지스터의 특성 - 정류 회로 & 트랜지스터의 특성

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실험09 정류회로와 트랜지스터의 특성 - 정류 회로 & 트랜지스터의 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

실험 9: 정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로



1. 목적

2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로

3. 실험 기구

4. 실험 방법




실험9-2 : 트랜지스터의 특성



1. 목 적

2. 이론

3. 실험 기구

4. 실험 방법

본문내용

는 두 개의 다이오드가 접속된 구조이고, 한 쪽은 에미터·베이스 사이의 접합부(이것을 EB다이오드라 부른다), 다른 쪽은 콜렉터·베이스 사이의 접합부(이것을 CB라 부른다)로 이루어져 있다. 베이스가 n형인 것을 PNP형, p형인 것을 NPN형 트랜지스터라 한다. PNP와 NPN은 carrier가 hole인가 전자인가의 차이만 있고 그 동작원리는 같다. 한편, 에미터를 접지시킨 공통 에미터(약자로 CE : common emitter)회로는 전자회로에서 흔히 쓰이는 회로로서 그 동작원리는 3극 진공관의 경우와 매우 비슷하다. PNP와 NPN의 CE회로는 그림 2(a),(b)와 같으며, EB다이오드는 순방향, CB 다이오드는 역방향으로 전압이 걸리고 있으므로 전류의 베이스 접지의 경우와 같다. 이 회로에서 에미터에 유입되는 전류는 IE = IB + IC 로 된다. 이 접속법에서 (CE회로에서), 출력전류/입력전류의 비는 IC / IB 로 주어진다. 이것을 CE회로의 전류증폭률 β라 부른다.(CE전류 이득 current gain)즉,
(1)
이 값은 트랜지스터에 따라 10 ~ 1000을 값을 갖는다.
그림 2. 이미터 접지회로(CE회로)
3. 실험 기구
- 회로실험보드- 멀티미터
- 1000Ω 저항- 2N3904 트랜지스터(NPN)
- 100Ω 저항
4. 실험 방법
1). 제공된 2N3904트랜지스터를 사용하여 그림 3.1a와 같은 회로를 구성하여라(저항, 저항 ). 데이터를 기록할 때 그림 3.1b의 회로도를 참고하여라. 그림에서 소켓옆에 표시한 것처럼 트랜지스터에 선을 표시하여라.
그림 3.1
2). 점 A와 B사이의 전압이 거의 0.002V(2.0mV)가 되도록 Potentiometer를 조심스럽게 조절하여라. 점 C와 D사이의 전압을 읽고 표 3.1에 기록하여라. 트랜지스터의 베이스로 흘러들어가는 전류를 제공하는 에 의해 분배된 와, 트랜지스터의 컬렉터로 흘러 들어가는 전류를 제공하는 에 의해 분배된 를 기록하여라.
3). 의 전압이 아래 값을 표시하도록 Potentiometer를 조절하여 각각의 값을 표 3.1에 기록하여라.: 0.006V, 0.010V, 0.015V, 0.020V, 0.025V, 0.030V, 0.035V, 0.040V, 0.045V, 0.050V, 0.055V, 0.060V, 0.080V, 0.100V, 0.150V, 0.200V, 0.250V. 또한 를 0.000V로 설정하여라

키워드

정류회로,   트랜지스터의 특성,   트랜지스터,   회로,   다이오드의 특성,   트랜지스터의 동작특성,   류회로와 트랜지스터의 특성