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해, 유리ㆍ플라스틱 등 저렴한 재료를 기판으로 사용하는 등 다양한 방식을 개발하고 있다.
그리고 차세대 태양전지로 주목받고 있는 박막형 태양전지는 햇빛을 흡수하는 기판으로 실리콘을 사용하는 방식과는 달리, 유리ㆍ금속ㆍ플라스틱
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(counter electrode)은 ITO 유리 기판 위에 백금(Pt)을 코팅하여 사용하였다. TiO2 나노튜브와 나노입자 다공성막을 무수 에탄올과 루테늄(Ru)계 유기금속화합물로 구성된 염료 용액에 24시간 동안 담근 후 꺼내어 염료가 흡착된 전극 막을 에탄올로 세
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ll area source
그림 6.에서 처럼 source로부터 기판까지의 반경거리를 r, 반경벡터와 기판에 수직한 수직 벡터와의 각을 증발된 재료의 총 질량을
m_{ e }
, 증착된 재료의 총 질량을
m_{ s }
, 구의 표면 위의 기판 면적
A`_{ s }
에 투영된 면적을
A_{
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기기, 민생기기 등의 폐기물중 납성분이 내제된 폐기기판에 대해서는 의무적으로 회수하여 별도 처리하는 것으로 정해져 있다. 또한 2006년도부터는 전기,전자기기 생산에 있어서 수은, 카드뮴 및 6가 크롬과 더불어 납사용이 일체 금지된다.
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하지 않으면 안된다.
형성판결에 형성권의 존재를 확정하는 기판력이 발생하는가에 관하여 형성의 효과와 발생과 함께 형성권은 목적을 달성하고 소멸하므로 기판력을 인정할 여지가 없다고 하는 부정설이 있으나, 이를 긍정하는 것이 통설,
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판력은 권리귄속주체인 다른 사람에게 미친다. 정리회사관리인이 받은 기판력은 정리회사에게, 선정당사자가 받은 기판력은 선정자에게, 유언집행자가 받는 기판력은 상속인에게, 선장이 받는 기판력은 선주에게 미친다. 권리귄속주체는 스
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소자 제작 공정
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판준비
보호 산화막 (screen oxide) 증착
채널층 불순물 주입
보호 산화막 제거
건식산화 (dry oxidation)
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 증착
다결정실리콘 (poly-Si) 게이트 이온주입
다결정실리콘 (poly-S
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그림 14와 그림 15는 마이크로파 플라즈마 방법으로 Fe-Co-Ni 합금기판위에 600 ℃에서 합성한 탄소나노튜브의 TEM 사진을 보여주고 있다. 대나무 구조를 갖는 탄소나노튜브의 팁부분에 니켈 촉매금속 덩어리가 존재하고 나노튜브를 구성하는 그
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제 1 항에 있어서, 상기 광원이 실장된 인쇄회로기판을 추가로 구비하며, 상기 광원은 상기 인쇄회로기판의 폭 방향과 나란한 방향으로 광이 출사되는 사이드뷰(Side View) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
기술효과
도
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하는데 도움이 될 것이다.
SLS 기술은 마스크에 레이저를 쏘아 기판의 a-Si을 Poly-Si으로 만드는 방법이다. 레이저의 집중성 때문에 너무나도 작은 면적에 레이저가 집중되어 불균일한 Poly-Si 층이 형성되기 쉽다. 그러한 문제의 해법으로 레이저
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