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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
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1.Objective
Growth 된 반도체 칩을 여러 공정을 통해 Fabrication 하여 I-V특성까지 파악.
각 공정에 쓰이는 장비의 사용목적과 쓰임을 안다
각 공정단계를 간편화 정밀화 함으로써 더욱 더 좋은 Quality 를 갖는 반도체 소자를 만들 수 있도록 연구&
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판단은 사용자의 능력에 달려있다.
◆ 출 처
박막공학 - 두양사
초고집적 공정기술 - 두양사
실리콘직적회로공정기술
반도체공정개론 - richard C.jaegr저 교보문고
엘립소미트리
반도체공정 및 장치기술 - 이형욱
VLSI FABRICATION PRINCIPLES
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공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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반도체의 표면위에 보호막을 씌운후에 웨이퍼는 후면준비(backside preparation)이라는 공정을 거치는데 이는 얇은 웨이퍼로 하여금 열의 확산을 도와주고 손상을 야기시킬수 있는 작은 조각들을 제거해 주는 공정이다.
각 각의 과정이 끝난 웨이
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공정을 피할 수 있는 dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금
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3조
제출일 : 2016. 5. 23 1. 반도체공정실습실에서 사용한 실험실습 기자재 정보와 각각의 사용법(간략하게)
2. 특수가공 수업에서의 실습내용 및 역할 계획
3. 실험(실습)일지
4. 실험(실습) 결과물(실습과정을 확인할 수 있는 자료 및 사진)
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편광의 차이가 측정되고, 산화막 두께가 계산된다.
d=0.1㎛ (1000'C, 2hr Si(100) dark violet)
표 1 ) 성장된 박막에 의해 관찰된 색
참고문헌
1 . 반도체(공정 및 측정) 편집부 엮음 (주)전자자료사, 1994년
2 . 반도체공정기술, 황호정, 생능출판사, 2000
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