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논문 1건

[논문] ReRAM & 비휘발성 메모리
타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형상함으로서 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 길게 함으로써 스퍼터링 효율을 높이는 것이 마그네트론 스퍼터링의 원리이다. NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를
ReRAM|비휘발성 메모리|memory|PRAM|PoRAM|MRAM|supper, ReRAM & 비휘발성 메모리,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
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