|
커패시터가 없어서 330(㎌)커패시터를 사용해서 측정을 했기 때문에 220(㎌) 커 패시터의 오차율은 구할 수가 없다. 대신 측정한 330(㎌)커패시터의 오차율을 구했다.
Part 5. Charging Network (Parallel Capacitors)
※ C 220(㎌) 커패시터 사용시 이론값 계산
|
|
|
커패시터는 입력과 출력측에 주어지는
두 개의 세로 커패시터와 등가이다.
2.입력 용량은 귀환용량보다 (1+A)배 만큼 더 크고,출력 용량은 귀환용량보다 (
{ 1} over {1+A }
)배 만큼 더 크다 1. 테브난의 정리
2. 노턴의 정리
3. 밀러의 정리
|
|
|
및 병렬회로
- 노턴의 정리
- 미분회로와 적분회로
- 옴의 법칙
- 인덕터
- 전압 배율기와 전류 분류기
- 중첩의 원리
- 직렬과 병렬
- 최대전력 전달조건
- 커패시터
- 키르히호프의 법칙
- 테브난의 정리
- 휘스톤 브리지
|
|
|
테브난 전원 저항이나 물리적 저항일 수도 있습니다. 따라서 커패시터의 충전과 방전 특성은 이러한 저항과 함께 고려되어야 합니다. 저항은 커패시터의 충/방전에 있어서 시간이라는 요소를 갖게 합니다.
커패시터가 저항을 통해서 충전 및
|
|
|
테브난 등가 회로 32
실험 8 노튼 등가 회로 37
실험 9 망로 방정식과 마디 방정식 41
실험 10 최대 전력 전달 46
실험 11 오실로스코프와 함수 발생기 작동법 49
실험 12 인덕터 및 커패시터들의 직렬 접속과 병렬 접속 53
실험
|
|
|
커패시터 C3와
컬렉터 저항 RC및 부하저항 RL로 구성된 RC 회로.
그림 7 (b) 교류 등가회로 (단, Tr의 내부저항은 ∞라 가정).
C3의 왼쪽을 테브난 등가회로로 변환
→ 컬렉터 전압을 등가전압원으로, RC를 등가 직렬저항으로 변환
⇒ 그림 7 (c)
출력
|
|
|
커패시터 를 부가해 교류 신호를 바이패 스시킴.
- 안정지수
- 테브난의 정리(Thevenin\'s theorem)
테브난 정리는 2단자 회로를 저항 RTh와 전압원 VTh의 직렬 연결된 등가회로로 바꿀 수 있음을 의미한다. 여기서 VTh는 단자 ab의 개방회로의 전압이고
|
|
|
커패시터가 이미터와 접지 사이에 실효적으로 단락되므로 는 베이스에서의 입력임피던스이다. 와 는 병렬 결합시켜 자리를 바꾸면 그림 17-10(b)와 같이 단순화된 회로를 얻을 수 있다. 다음으로 캐패시터의 왼쪽 회로를 테브난 등가회로로 바
|
|
|
커패시터 를 제거하기 전과 후의 베이스, 이미터, 출력신호 전압의 진폭을 측정하여 기록하라.
(13) 과 병렬로 100㏀을 연결하여 동작점을 포화영역쪽으로 이동하고 그 파형을 그려라.
(14) 을 47㏀으로 원상 복귀하고, 와 병렬로 10㏀을 연결하여
|
|
|
- 진공에서의 유전율. 8.854×10－12의 값을 가지며 단위는 (F/M)
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘커패시터’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이
|
|
메뉴펼치기
