|
Scanning Probe Microscope ์ด๋?
1-1. SPM์ ์ค์บ๋
1-2. ์ค์บ๋ ๊ตฌ์กฐ์ ์๋
1-3. ์ค์บ๋์ ๋ณธ์ง์ ์ธ ๋ฌธ์ ์ ๋ค.
1-3-1. Intrinsic ๋น์ ํ์ฑ
1-3-2. Hysteresis
1-3-3. Creep
1-3-4. Aging
1-3-5. Cross Coupling
1-4. ์ค์บ๋ ๋ฌธ์ ์ ๋ค์ ํด๊ฒฐ๋ฐฉ๋ฒ
1-4-1. Software
|
|
|
์ผ ํ๋ค๋ ์ ์ด๋ค.
โ
ค ๋ค๋ฅธ ๊ธฐ๊ธฐ์์ ๋น๊ต๋ถ์
ํ์นจํ ์์ ํ๋ฏธ๊ฒฝ(scanning probe microscope ;SPM)์ด๋ ๋ค์ํ ๋ฐฉ์์ ํ์นจ(probe)์ผ๋ก ์๋ฃ์ ํ๋ฉด์ ์ค์บํ์ฌ ์์ ์ง๋ฆ์ ์์ญ ๋ถ์ 1์ธ 0.01๋๋
ธ๋ฏธํฐ(nm) ์์ค๊น์ง ์ธก์ ํ ์ ์๋ ์ 3์ธ๋ ํ๋ฏธ๊ฒฝ์ด๋ค.
|
|
|
์ผ ํ๋ค๋ ์ ์ด๋ค.
โ
ค ๋ค๋ฅธ ๊ธฐ๊ธฐ์์ ๋น๊ต๋ถ์
ํ์นจํ ์์ ํ๋ฏธ๊ฒฝ(scanning probe microscope ;SPM)์ด๋ ๋ค์ํ ๋ฐฉ์์ ํ์นจ(probe)์ผ๋ก ์๋ฃ์ ํ๋ฉด์ ์ค์บํ์ฌ ์์ ์ง๋ฆ์ ์์ญ ๋ถ์ 1์ธ 0.01๋๋
ธ๋ฏธํฐ(nm) ์์ค๊น์ง ์ธก์ ํ ์ ์๋ ์ 3์ธ๋ ํ๋ฏธ๊ฒฝ์ด๋ค.
|
|
|
์ ์๋ฅผ ๋ฐ์์์ผ์, ์ผ์๋ก ๋ฐ์๋ค์ฌ ๊ด์ฐฐํ ์ ์๋๋ก ํ๋ค.
SPM(Scanning Probe Microscope)์ 1982๋
์ IBM. Zurich ์ฐ๊ตฌ์์ G.Binning, H.Roher์ ์ํด ๋ฐ๋ช
(1986๋
์ ๋
ธ๋ฒจ๋ฌผ๋ฆฌํ์์์) ๋๋ STM(Scanning Tunneling Microscope)์ ์๋ฆฌ๋ก๋ถํฐ ํ์๋์๋ค. ๋ฏธ์ธํ ํ
|
|
|
Electron microscope(EM)
• SEM (scanning electron microscope)
• FESEM (field emission scanning electron microscope)
• TEM (transmission electron microscope)
• HRTEM (high resolution transmission electron microscope)
Scanning probe microscope(SPM)
• STM(scanning tun
|
|
 |
scanning electron microscope. The voltage at zero current in low electric field is the lowest at 0.3 % OTS treated SiO2 film with hybrid type. SiO2 films changed from inorganic to hybrid or organic properties according to the increase of OTS content. OTS treated SiO2 films with hybrid properties dec
|
|
๋ฉ๋ดํผ์น๊ธฐ
