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회로에서의 임의의 접속점에서 유압전류와 유출전류의 대수합은 0라는 사실을 직접 확인해 봄으로써 비록 오차 발생으로 인한 아쉬움은 있지만 이론을 실험을 통하여 확인해 보는 계기가 되었다.
5. Reference
- “회로이론실험”, 이준신,윤석
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422
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실험으로서 인코더의 동작을 확인했다. 즉, I3가 입력되면 출력은 011 이 되고,
I5가 입력되면 출력은 101 이 된다는 것을 확인할 수 있었다.
2-2. 시뮬레이션 결과
피스파이스로 시뮬레이션한 결과도 같은 결과를 출력했다.
3. 실험회로 3
2진 입력
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회로에 연결하여라. 표 7.1에 데이터를 기록하면서 과정⑦을 반복하여라. 세번째 저항도 가능하다면 회로에 연결하여 표 7.1에 기록하여라.
실험8. 다이오드 특성
1. 목 적
반도체 다이오드의 동작특성에 대해서 실험 해 본다.
2. 실험 기구
회
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회로의 이득이며, 은 폐루프 임계주파수라면, 다음 식이 성립한다.
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 연산증폭기의 반전 증폭기 회로(시간영역)
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
[dB]
임계주파수
GBP
1
1
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회로
그림 6. 단상 교류회로의 전원전압, 전류, 저항에 걸리는 전압
그림 7. 단상 교류회로의 전력
3. 실험 기기 및 부품
- AC 전압발생기(함수발생기)
- 디지털 멀티미터
- 단상 교류전력계(Ac power meter)
- 저항 : 100Ω (5[W])
- 커패시터 : 4.7㎌, 10㎌ (
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회로실험을 할 때 RC 회로와 마찬가지로 입력전압은 5V, 커패시터 용량은 47pF, 저항은 820Ω을 사용하였다. 주파수는 Low frequency로 1MHz, High frequency로 10MHz를 사용하여 실험하였다. CR 회로는 앞서 이론에서 서술한 바와 같이 값이 고주파(높은 )에서
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회로에서), 출력전류/입력전류의 비는 IC / IB 로 주어진다. 이것을 CE회로의 전류증폭률 β라 부른다.(CE전류 이득 current gain)즉,
(1)
이 값은 트랜지스터에 따라 10 ~ 1000을 값을 갖는다.
그림 2. 이미터 접지회로(CE회로)
3. 실험 기구
- 회로실험보
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실험 결과 완성된 표 4-9에서 W와 X의 측정치가 같은지 비교하고 또 Y와 Z의 측정치도 같은지 비교하라.
W와 X의 측정치가 같고 Y와 Z의 측정치도 같았다.
(a)NAND 게이트 회로와 (b)Invert OR 게이트 회로는 서로 같은 회로이고
(c) Invert AND 게이트 회로
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요소
보드
회로의 기반
납
단자들을 간 연결
전선
전류가 통하도록 연결
전지 (1개)
12V 전원
330옴 저항 (6개)
세그먼트에 Vcc 연결 시 전류 양 조절
0.33/0.1uF 캐패시터 (각 1개)
12V 전압->5V 전압 변경 시 필요한 요소
(2) 사용 부품
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