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수소화물 기상 에피택시
(HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)
01
〔단결정 박막의 원료 물질〕➠ ➠〔고온로 내에 도입〕
（기상 에피택셜 성장이란?）
〔 화학 반응 또는 열분해〕➠
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화학적 전처리
탈지법
탈지로서 가장 간단한 방법은 휘발유, 벤젠, 트리클렌 등의 유기용제에 침지하는 것과 충분한 탈지를 위해 알칼리용액과 음극 전해세정을 병행하는 방법이 있는데 대표적인 알칼리용액의 조성은 아래와 같다
<알칼리
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; PVD
형성시키고자 하는 박막과 같은 재료를 진공 중에서
가열 증발 시켜 기판에 부착 시키는 기술
Chemical Vapor Deposition ;CVD
기판에 증착될때 화학반응을 일으켜 고체화됨 Ch 1. Deposition
Ch 2. Thermal Evaporation
Ch 3. E-beam Evaporation
Ch 4. PVD
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2
시료3의 Rf값이 시료2의 Rf값과 유사한 것으로 보아 시료3은 시료2와
같은 물질 즉 미지시료는 aceto amino phen 이라고 예측할수 있습니다.
결론
TLC는 기본적으로 SiO2로 되어있는데 전개물질이 극성이면 SiO2와 상호작용이 커져서 Rf값이 작아지고,
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화학 분야와 관련한 협업 체계를 구축하였으며, Roche의 경우 중국 국제 휴먼 게놈 센터와 협업할 수 있도록 지원하고 있음.
- 또한 의학 관련 지식을 보유한 역량 높은 인력을 배출하고 있는데, 최근에는 의료 과정에서 발생하는 다양한 법정
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값에 크게 영향을 미치지 않지만 오차의 원인을 알고 해결방안을 알아 볼 수 있었다.
점을 찍을때는 최대한 일정한 높이에서 맞추고 찍기
용액이 최대한 증발되지 않도록 뚜껑을 재빠르게 닫기
TLC판을 시험용기에 수직으로 넣어서 Rf 값의
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Etching (식각)
#. 박막이 형성된 웨이퍼 위의 불필요한 부분을 제거하여 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정.
#. 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질 (습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용.
#. 결정면에따른 식각 속도에 따라 이방성 식
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화학 반응식은 SiO2 + 4HF ↔ SiF4 + 2H2O
종말점 확인은 산화막의 친수성과 실리콘의 척수성
을 이용하여 현미경으로 물방울 형성을 확인하면 알
수 있다.
Si3N4 식각
식각 용액은 H3PO4(인산)을 이용
마스크로 얇은 SiO2박막을 이용
반응
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화학 결합 상태를 알 수 있는 표면 분석 장비
사용 예: 반도체 소재, 박막, 금속, 화합물, 유리, 촉매, 고분자 및 나노 소재 등의 표면 및 계면 특성분석
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광전효과 & 콤프턴 효과
콤프턴 효과: X선을 물체에 비추었더니 물체를 이루고
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화학제재 제약업체이나 최근 다수의 바이오벤처 인수로 바이오분야 진출, 신흥 경쟁기업
일라이 릴리 : 재직자의 업무 수당 강화로 인력 유출 유도
J&J : 과거 신장투석환자 이외의 환자에 대한 에포젠 판매독점권 매각 등으로 최근 특허권
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