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Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4th edition
By D. A. Neamen
Chapter 1
Exercise Solutions
Ex 1.1
(a) Number of atoms per unit cell
1 1
= ──── × 8 ＋ ──── × 6 = 4
8 2
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소자회로 설계기술이다. 후막공정을 이용한 수동소자 집적화는 주로 LTCC 기술을 통해서 구현하는데, 이 방법은 단일 세라믹 기판에 커패시터와 저항, 인덕터를 동시에 집적하는 공정이다.
박막 기술을 기반으로 하는 MCM 기술은, 물성 및 공정
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소자회로 설계기술이다. 후막공정을 이용한 수동소자 집적화는 주로 LTCC 기술을 통해서 구현하는데, 이 방법은 단일 세라믹 기판에 커패시터와 저항, 인덕터를 동시에 집적하는 공정이다.
박막 기술을 기반으로 하는 MCM 기술은, 물성 및 공정
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소자 공정기술 / Michael Quirk, Julian Serda 원저 / Pearson Prentice Hall 출판
반도체 물성과 소자 / Neamen, Donald A. 원저 / McGraw Hill 출판
반도체공학(PN접합), 반도체공학(특수반도체)
디스플레이 공학 : LCD·PDP·OLED·LED / 엄금용 / 기전연구사
LED 패키징
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물성공학과 전자재료물성 및 소자공학 이 2개의 책을 추천한다. 우선 전자재료물성 및 소자공학 책으로 기본적인 이해 및 틀을 잡고 세부적으로 반도체물성공학으로 이번 수업 참고자료로 삼으면 괜찮을 것 같다. 우선 둘다 각각 2006년 2005년
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물성 및 소자] - S.O, Kasap(McGraw Hill)
학교 및 연구소
[콜롬비아 대학_NSF Industry(산학협동)]
http://www.mrl.columbia.edu/
(자료)
http://www.mrl.columbia.edu/iucrc/070221%20NSF%20symp%20vdwilt.pdf
[서울대학교 Semiconductor Materials and Devices Laboratory ]
http://smdl.snu.ac.kr/
(자료)
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물성 및 소자공학 McGraw Hill Korea 출판. S.O.Kasap 저
1장 전반적인 부분 모두 포함.
6. 파괴의 정도에 따른 파괴 흔적
재료학실험 필기내용 참조. (개인 소장) Ⅰ. 서론 ················ 2
1.1. 연구배경 및 목적········· 3
1.2. 관련
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Ⅱ. 나노기술(나노, NANO)의 개념
Ⅲ. 나노기술(나노, NANO)의 특징
Ⅳ. 탄소나노튜브의 기원
Ⅴ. 탄소나노튜브의 구조
Ⅵ. 탄소나노튜브의 물성
1. 전기적 성질
2. 열적 성질
3. 기계적 성질
Ⅶ. 탄소나노튜브의 전망
참고문헌
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Chapter 1
Visualization of the Silicon Crystal
1.1
(a) Please refer to Figure 1-2. The 8 corner atoms are shared by 8 unit cells and therefore contribute 1 atom. Similarly, the 6 face atoms are each shared by 2 unit cells and contribute 3 atoms. And, 4 atoms are located inside the unit cell. Henc
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물성이 보여주는 다기능성, 고기능성은 정보 통신 기기의 필수 3요소인 평면표시소자, 메모리소자, 전지에 응용력이 뛰어나며 기존의 소자가 가지고 있는 물성의 한계를 극복할 수 있어서 전 세계적으로 경쟁력 우위를 확보하기 위한 전략들
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