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기초전기전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999)
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측정(R2 / R1 =1)
Resistor Number
1
R3, Ω
815Ω
Rated(colorcode)value, RX, Ω
820Ω
Percent tolerance, RX, %
5%
Calculated value, RX, Ω
817Ω
*표에 나와 있지 않은 저항
< R1, R2 = 4.7kΩ (4.675kΩ, 4.690kΩ) >, < R4 = 5.6kΩ (5.58kΩ) >
※ 계산 식 과 계산 과정
▶ 계산식
에서 응
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이 실험은 주의 할 점이 있다. 교수님과 조교님께선 요즘 기기가 좋아져서 손상이 위험이 적다고 하셨지만 분명 지켜할 점이라고 강조하셨다.
주의 할 점이란 어떤 부품에 흐르는 전류를 측정하기 위해서는 그 부품에 직렬로 전류계를 연결
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과 계산과정
> R1 x I1 + R2 x I2 + . . . + RN x IN = 0 [ V ]
= 0 [ V ]
R2I2 +R3I2 +R4I2 +R6I2 - R2I1 - R4I3 = 0 [ V ]
(331Ω x I2) +(328Ω x I2) + (328Ω x I2) + (331Ω x I2)
- (331Ω x I1) - (328Ω x I3) = 0
= (1318Ωx I2) - (331Ω x I1) - (328Ω x I3) = 0 [ V ]- 번식
- Mesh (망) I3 계산식과 계산
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스와 캐패시턴스의 값에 비례하여 전압과 전류에 역효과가 발생한다. 이로 인해 인덕턴스와 캐패시턴스의 값에 비례하여 저항성을 띄게 된다.이때 인덕턴스에 의한 저항성분을 유도성 리액턴스,캐패시턴스에 의한 저항성분을 용량성 리액턴
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ured
Calculated
Original
Circuit
Thevenin
Equivalent Circuit
330Ω
4.29
4.27
1.07
1.075
5.61
3.05
3.052
5. 고찰
-이번 실험은 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등가전압과 등가저항을 결정하고 테브닌 정리를 실험적으로 입증해보는 것이었다.
테브닌과 노튼의
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^{ 3 }
( )
ㅇ 반주기를 10 정도로 하는 것이 좋으므로 주기는 20 로 한다.
omega = { 1 } over { 2 TIMES 10 TIMES 10 TIMES 10^{ -6 } } =5
(kHz)
4) 실험 3.3의 회로에서 FG출력(CH1)과 커패시터전압(CH2)을 동시에 관측할 수 있도록 회로와 오실로스코프의 연결상태를
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전류와 나가는 전류의 합은 0 (KCL 응용)
계산식
node Va에서 이다.
= = =
따라서,
- - = 0
양변에 0.8 x 2.194 x 1.184 해주면,
38.96 - 2.59 Va - 0.94 Va - 1.75 Va = 0
-5.28 Va = -38.96
Va = 7.37
이것을 위의 I 값에 대입하면
= = =
따라서,
= 9.53 [ mA ] = 3.35 [ mA ] = 6.24 [ mA ]
&
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변화를 기록한다.
C4. 각시정수에 대하여 C1에 걸린 전압(예상값)을 계산한다.
C5. 오실로스코우프를 이용하여 C1에 걸린 전압을 측정하고 표 38-3에 기록한다. 이때 Time/Div.는 0.2ms/Div.로 고정한다.
4. 결과
- 표 . 38-1 캐패시터의 방전
Power Supply
Voltag
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-병렬회로의 총 저항을 구하기 위해 규칙들을 실험적으로 입증해보고 직-병렬회로들을 설계해보는 실험이었다.
기본적인 옴의 법칙과 직-병렬회로의 저항 규칙을 익히 알고 있어서 수월한 실험이 되었다.
조금 난관이었던 것은 브레드보드
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