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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재, 아주대학교, 2011. < 1. 설계부품 >
< 2. 설계 준비 사항 >
< 3. 실험 과정 및 실험 결과(실제 실험 결과를 시뮬레이션과 비교분석) >
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
< 5. 참 고 문 헌 >
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다이오드의 정류특성은
IA = IS(eqV/kT - 1)
로 표시된다.
3. 실험후기
이번 실험은 처음에 언뜻 보기에는 쉬워 보였습니다. 그렇지만 정작 실험에 들어가니 설치부터가 쉽지가 않았습니다. 전압계와 전류계를 회로판에 올바르게 연결하는 것도 굉
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실험 방법
실험 재료
입력신호
1N4148, GROUND, VDC, RES(저항),
D1N750(제너다이오드), 캐패시터
Vin: f=1 kHz, Vp-p=12V
1. 반파 배전압 회로
5ms이내 안에서 전압이 감소 하며 차후에도 아주 조금씩 감소하다가 거의 일정하게 된다.
2. 전파 배전압 회로
2ms이
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다이오드 가 오프되는 구간 동안 를 통해서만 돌게 됩니다.
시뮬레이션 결과와 그 밑의 값을 통해 이론값과 실험값이 일치하여 나왔음을 볼 수 있었습니다.
3. 참고문헌
노의철 외 2명, 『전력전자공학 3판』, 문선당, 2011, pp. 104-114. 1. 개요
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회로는 회로가 나누어져 있고, 각각의 나누어진 회로에는 전체 전류의 일부분이 흐른다.
[출처] 전기회로 [電氣回路, electrical network ] | 네이버 백과사전 1. 옴의 법칙 실험 결과
2. 실험 결과 및 고찰
3. 배운점 및 소감
4. 예비 보고서(실험
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실험
◎ 결과 보고서
1. 2)-1 이론치 : *VCC(5) = 3.3V ,, 실험치 : 4V
1. 2)-2 이론치 : Hi=0.695(R+R)C=0.7ms ,, low=0.695Ra*C=0.23ms
실험치 : Hi=0.6ms low=0.26ms
1. 2)-3 이론치 : T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,, 실험치 : 80%
1. 3) 다이오드
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실험조교님의 말씀을 들어 보아도 장비의 문제점을 들 수 있었고, 후일 같은 실험을 한다면 더 나은 환경에서 진행되었으면 하는 아쉬움도 있었다. 1장. 집합 다이오드 특성
2장. 제너 다이오드 특성
6장. 반파 및 정파 정류회로
7장. 변압
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크게 나타난다. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초이론
(1) 전자유도
(2) 자체 인덕턴스
(3) 상호 인덕턴스
(4) 자체 인덕턴스와 상호 인덕턴스와의 관계
4. 실험 진행 및 결과
5. 예비보고서
6. 실험 결과 및 분석
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흐르는 전류에는 높은 저항을 유도 한다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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