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(전자회로실험)MOSFET기본특성 결레 레포트
목차
1. 실험목적
2. 실험기자재 및 부품
3. 배경이론
4. 실험절차
5. 실험 결과 및 분석
6. 오차 분석
7. 고찰 사항
8. 결론
1. 실험목적
MOSFET의 기본 특성을 이해하고 분석하는 것은
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MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는 이상적인 전류원처럼 동작할 것이다.
모의실험
① Vt 측정
시뮬레이션 예측에 따르면 ID 값이 상승하기 시작하는 Vt는 1.6V 근방이었다.
② NMOS의 I-V 특성 곡선
<VGS = 5V 일 때의 ID 곡선>
<VGS =
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첫째자리까지 나오고 이것 또한 정확하지 않기 때문에 이것으로 인하여 오차가 크게 발생할 수도 있기 때문에 유의해야 한다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 목적
3. 실험 결과 및 분석
1) 실험 1.1
4. 고찰 사항
5. 토의
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급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1.1
1) 실험1.2
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특성이 잘견딘다.
2. 주파수 대역이 넓어짐.
3. 선형성이 증가.
4. 입출력 저항이 조절가능.
- 단점
1. 회로 해석이 복잡.
2. 불안정할수도 있다.
3. 증폭도가 감소.
다) Zero 바이어스 회로(공핍형 MOSFET)
: 공핍형 JFET와 유사하다.
라) 드레인 궤환 바
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