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RC시상수라고 한다. 이번실험에서 6가지의 저항값과 capacitance값을 다르게 하여 실험을 했다. 데이터스튜디오 프로그램을 통해 RC시상수를 구했는데 매우 단순한 방법으로 간단하게 구할 수 있었다. 이론값과 측정값의 비교에 있어서도 오차율
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.16
1.17
17
5. R = 10 kΩ 이고 C = 100 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
입력전압
입력전압*0.632
걸린 시간
오차
(%)
10kΩ
100 μF
1
5
3.16
1.08
8
6. R = 100 kΩ 이고 C = 100 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
입력전압
입력전압*0.632
걸린 시간
오차
(%)
100kΩ
100 μF
10
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RC 직렬회로\' 이다.
- 축전기는 처음에 충전되어있지 않기 때문에 축전기 양단의 전위차, vbc 는 t=0 일 때 영이되고
이때 키르히호프의 폐회로 법칙(Kirchhoff\'s loop law) 으로부터 저항 R 양단의 전위차, vab 는 배터리
기전력 V0와 같다. 저항을 통
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= 1 μF 일 때
3. R = 10 kΩ 이고 C = 10 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
입력전압
입력전압*0.632
걸린 시간
오차
(%)
10KΩ
10 μF
0.1
5V
3.16V
0.15
0.5%
4. R = 100 kΩ 이고 C = 10 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
입력전압
입력전압*0.632
걸린 시간
오차
(%)
100KΩ
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330 μF
0.01089
0.0114
0.0113
0.04
0.03
R = 100 Ω 이고 C = 100 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
걸린 시간
오차 (%)
충전
방전
충전
방전
100 Ω
100 μF
0.01
0.0114
0.0113
0.14
0.13
R = 100 Ω 이고 C = 330 μF 일 때
저항
capacitance
RC이론값
걸린 시간
오차 (%)
충전
방전
충
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간의 지수함수로 나타났다. 즉, 회로전류는 아주 짧은 시간동안 흐르는데 축전지는 지수적으로 충전되고 정상상태에 도달하며 전류가 흐르지 않는다. 이는 각각 RC회로의 충·방전 전류의 그래프 개형에서 확인할 수 있다. 또한 의 식을 사용
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: 임제탁, 김수중 공저 [회로이론] 아진출판사 p. 211~314 1. 실험 목적
RC회로의 과도응답과 정상상태응답을 수학적으로 도출하고 확인하며, RL회로와의 공통점과 차이점을 비교 분석한다.
2. 기초 이론
3. 실험 유의사항
4. 참고문헌
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산 -> 정현파 입력으로 V0파형 관찰 -> 함수 발생기의 주파수를 변화하며 출력을 비교 및 그래프 작성
#3.저항(R)=1kΩ, 콘덴서(C)=0.1㎌, 함수발생기 입력전압 ± 1.2V 구형파
-브레드보드에 RC회로를 만든다.
-함수발생기를 이용하여 ± 10V구형파
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RC발진기
그림 2(a)는 FET를 사용한 이상형 발진기이다. 이상회로의 피드백 계수는
beta = V_f over V_o = - 1 over {1-5{alpha}^2 = j alpha (6-alpha^2 ) } " "(alpha == 1 over wRC )
(6)
여기서
alpha == 1 / wCR
. 따라서
alpha = root{6}
일 때,
V_f 와 V_o
와의 위상차가 180°로 된
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RC충전 회로에서 R이 아주 작은 값을 가진다면 어떤 일이 일어나는지 RC충전회로에서의 전압 전류 식을 구하고 이를 토대로 설명하시오.
그림9. RC회로 과도응답
☞ , t=0 / , t>0 일 경우
저항 R과 커패시터 C사이의 노드에서 회로방정식을 세우
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