Effect of ion energy and dose in crystalline Si and amorphous Si (Ion Implantation)

소개글

Effect of ion energy and dose in crystalline Si and amorphous Si (Ion Implantation)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. Introduction
2. Profiles
3. Conclusions
4. References

본문내용

centration의 증가에 비하면 junction depth의 증가 추세는 비교적으로 낮다.) 따라서 Conclusion 1)과 종합해서 본다면, 높은 Ion Energy & 높은 (Dose) 값일수록 (Junction Depth)는 길어진다는 것을 알 수 있다. 이러한 성질을 이용하여 원하는 Dopant의 양을 원하는 깊이까지 주어진 background concentration에서 Ion Implantation을 할 수 있다.
3) 마지막으로 Crystalline 과 Amorphous(Non-Crystalline) 을 비교해보면, 같은 조건에서 Crystalline 가 Amorphous 보다 더 짧은 (Junction Depth)를 가지고 더 높은 peak concentration을 가지는 것을 볼 수 있다. 규칙적으로 배열되어 있는 Crystalline의 경우와 다르게 Amorphous의 경우 원자끼리 불규칙적으로 얽혀 있는 결합 구조로 되어 있어서 전기적인 특성이 뛰어나다. 따라서 그래프를 보면 Ion Energy가 높아지는 것처럼 junction depth가 Crystalline보다 다소 높은 것을 볼 수 있다. 이 밖에도 Amorphous의 경우 기계적인 세기나 전기적인 특성, 가공성 등이 뛰어나서 대면적의 Device 작성이 가능하며 값이 싸다.
결과적으로 Ion Implantation의 영향을 미치는 Parameters에는,
① Dopant species
② Ion energy
③ Implantation dose
가 있고, 거기에 더해서 tilt and twist angles에 따라서도 달라질 수 있다.
(100) wafer의 우수한 전기적 특성으로 오늘날에는 (100) wafer manufacturing이 보다 더 지배적이다.
4. References
[1] http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/wittmann/node7.html (Ion Implantation)
[2] http://en.wikipedia.org/wiki/Amorphous_silicon (Amorphous Silicon 1)
[3] http://blog.naver.com/lee_jinhwan?Redirect=Log&logNo=50178138694 (Amorphous Silicon 2)
[4] http://www.cleanroom.byu.edu/ImplantConCal.phtml (Calculator)

키워드

반도체공정개론 과제,   Ion Implantation,   Si Wafer,   Crystalline,   Amorphous,   implant energy,   dose,   반도체공정 과제