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이온 표면 착물화
2.5. 표면전하변화
제3절 광촉매 반응과 영향인자
1. 광촉매 반응
2. 광촉매 반응 영향 인자
2.1. 광촉매 특성
2.2. 촉매량
2.3. 도핑 및 복합산화물
2.4. 광의 세기 및 파장
2.5. pH
2.6. 온
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Ion Implantation을 할 수 있다.
3) 마지막으로 Crystalline 과 Amorphous(Non-Crystalline) 을 비교해보면, 같은 조건에서 Crystalline 가 Amorphous 보다 더 짧은 (Junction Depth)를 가지고 더 높은 peak concentration을 가지는 것을 볼 수 있다. 규칙적으로 배열되어 있는 Cry
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ion implantation 에 의해 생성될 수 있다. 이것은 gate 바로 아래에 펼쳐진 낮은 농도의 불순물을 갖는 얇은 junction이다. 유전체 층을 두고 에칭한 후, polysilicon gate의 양쪽에 sidewall spacer을 만든다. 그 다음 low energy와 high current ion implantation으로 높은
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Ion Implantation, Etching
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.
▶ Dry Oxidation
고온의 Furnace 내로 O2 가스를 공급하여 실리콘을 산화 시킨다.
막의 성장 속도가 느리다.
Si(s) + O2(g)
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및 검사)
나. 공정에 대한 설명
<1> 사진공정(Photolithography)
<2> 화학기상 증착( CVD )
<3> 금속화 공정(MENTALIZATION)
<4> 산화공정(Oxidation)
<5> 확산공정(Diffusion)
<6> 이온주입(ION IMPLANTATION)
<7> 건식식각(Dry Etching)
<8> 공정집적(Process Integration)
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