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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와
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실험 방법
실험 재료
입력신호
1N4148, GROUND, VDC, RES(저항),
D1N750(제너다이오드), 캐패시터
Vin: f=1 kHz, Vp-p=12V
1. 반파 배전압 회로
5ms이내 안에서 전압이 감소 하며 차후에도 아주 조금씩 감소하다가 거의 일정하게 된다.
2. 전파 배전압 회로
2ms이
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전자제품과 자동차ㆍ인공위성 등에도 사용하고 스마트폰 한 대에만 500여개가 쓰인다. 우리나라에서는 계속 초고용량 신제품을 선도하면서 세계 2위권의 강국이다.
(MLCC 다결정)
(MLCC 내부) 1. 실험목적
2. 실험원리
3. 실험기구 및 재료
4.
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전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학
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