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다이오드의 종류 Si, Ge에 따라 전위장벽의 변화 및 특성 등에 대하여 검토한다.
< 이론개요 >
- 다이오드의 정의
- 다이오드의 종류
- 다이오드의 원리
- 접합 바이어스(순방향, 역방향)
- 실리콘과 게르마늄 다이오드에 대한 특징
* 다
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정의된 것과 같이 다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점회전위(문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
(Si)= 0.7V
(Ge)= 0.3V
4. 토의 및 고찰
실리콘과 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성에 대하여 실험을 하였다.
다이오드의 순방향과 역방향의
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1.반도체
2.에너지대
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드
6.실제적인 다이오드의 특성
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
8.Zerner영역
9.실리콘과 게르마늄 다이오드
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다이오드가 역바이어스시 다이오드 전압 (위그림에서) 는 를 따르며, 이 때문에 다이오드는 매우 큰 저항값을 갖게 된다. 또한 이 순방향 비어어스시 전압강하()는 0이 아니며, 작은 정의 값을 가짐에 주의해야한다. 이것이 다이오드 순방향 전
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광센서
2. Photo diode
(1) 정의
(2) 특징
(3) 구조
(4) 동작원리
(5) Photo diode를 이용한 센서
(6) Photo diode의 활용제품
3. Photo transistor
(1) 정의
(2) 특징
(3) 구조
(4) 동작원리
(5) Photo Transistor를 이용한 Photo interrupter
(6) Photo Transisor의 활용제품
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