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실험 보고서 4
학과
학년
학년
학번
성명
실험조
조
조원
실험일
2010 년 3 월 15 일
제출일
2010 년 3 월 21 일
1. 실험 제목 : 반도체 소자의 형명 및 판별법
2. 실험 목적 : 반도체 소자의 형명 구성을 이해한다.
Proteous 내의 반도체 소자 심볼 확인한
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반도체 소자의 형명 구성을 이해하고 극성 판별 및 부품 점검, 방법 등을 알아보는 실험이었다. 반도체 소자 각각의 방법 등을 이해하고 표에 요약을 해보니 한눈에 알아볼 수 있어서 나중에 필요할 때 바로바로 찾아 볼 수 있을 정도가 되었
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반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 다이오드의 전압?전류 특성
Ⅲ. 다이오드의 극성 판별법
Ⅳ. 포토다이오드
1. 동작원리
2. PHOTO DIODE 의 대표 특성
1) V-I 특성
2) 분광감도
3) 응답특성
4) 암전류
3. 형상
Ⅴ. 발광다이오
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마일러콘덴서
세라믹콘덴서
탄탈콘덴서
정전 용량: 2[pF]= 200[pF]= 0.0002 [F]
정격 전압: 100 [V]
허용 오차: 20% Ⅰ.교 재 관
Ⅱ.학 생 관
Ⅲ.지 도 관
Ⅳ.평 가 관
Ⅴ.교재 및 단원관
Ⅵ.본시 학습 지도안
Ⅶ.형성평가지&답안
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및 컬렉터에 대었을 떠 저항계의 지시가 Ω, 리이드 극성을 반대로 하였을 때 저저항치를 지시하면 NPN형이다.
[2]에미터와 컬렉터의 판별법
에미터와 컬렉터는 같은 형 반도체지만 불순물 도우핑 농도가 서로 다르기 때문에 분명히 구별 된다.
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