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비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
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반도체 정보
최근에 전세계적인 관심속에 차세대 비휘발성 메모리 후보로 급부상하고 있는 상변화 메모리 연구의 실질적인 도화선은 2002년 Intel/Ovonix 의 Gill등이 IEEE Internation Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2002)에서 10에12의 반복 기록특성을 갖
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반도체 공정에서는 400 - 450 ) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음
4. 메모리의 구성비교
[표3] 각 메모리의 구성 비교
참고문헌
1. 비휘발성 메모리 소자 기술동향 / KIST / 허운행
2. 상변화 메모리 소자설
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비휘발성 메모리를 제작할 수 있다는 점이다.
비메모리 반도체는 일명 주문형 반도체라고도 하는데, 일반 가정, 휴대폰, LCD 등 다양한 영역에서 쓰인다. 2000년대 들어 PDA용 SoC, 무선랜용 통합칩, 디지털 TV 수신칩, CMOS 이미지 센서, 메모리 로직
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반도체 신화를 통해 이건희 전 회장의 글로벌적인 사고방식을 엿볼 수 있다.
그는 경영진이 ‘NO'라고 말한 반도체 산업에 대해 자신 있게 ’YES'라고 하였다. ‘아무런 기술도 없이 무슨 최첨단 산업에 뛰어든다는 것이냐’는 대부분의 생각에
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반도체의 특징은 비휘발성이며, 데이터의 처리속도가 빠르다는 것이다. 그 이유는 P램이나 F램, M램 등의 셀을 구성하는 물질의 특성으로 인해 전극이나 자기장이 없더라도 그 성질을 그대로 유지하기 때문이다.
P램은 전류를 끊더라도 결정
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반도체라 함은 기존 D램과 플래시 메로리의 뒤를 이을 신 개념의 반도체 소자로서 F램(Ferroelectric Random Access Memory), M램(Magnetic RAM), P램(Phase Change RAM)등을 의미하며, 이들 소자들은 D램이 가진 고속, 고집적도 장점과 플래시멜모리의 비휘발성 장
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비휘발성, 큰 저장 용량을 특징으로 하는 메모리 반도체다. 물리적으로 10년 동안 데이터 저장이 가능하다. 데이터를 쓰고 지우는데 20볼트 수준의 높은 전압이 필요한데, 전기가 끊겨도 데이터가 지워지지 않는 이유다. 지금까지 PC, 서버에는
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비휘발성 메모리(Non-VolatileMemory) 라고 한다.컴퓨터의 OS(운영체제), 각종 전자기기의 고정된 프로그램등을 저장하는 데 사용된다. * 롬의 종류MASKROM 마스크롬 EEPROM E스퀘어P롬 FLASH MEMORY (플레쉬메모리) CCD 1.반도체란 무엇인가
2.반도체의
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반도체 소자 공정 기술, 청문각, 2006
□ 한규일, 실리콘 나노 결정 Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2.
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