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CMOS 반도체 공정에서는 400 - 450℃) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음 1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점
2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점
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자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점과 단점
4. 메모리의 구성비교
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메모리 기술 조사연구보고서, JEITA 보고서, 2003.
[3] 진화하는 비휘발성 메모리, MRAM, FeRAM, OUM의 해설 Nikkei Electronics, 2002, 12.27 I. 서 론
II. 본론
1. 기존의 상용화 메모리 기술
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술
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FRAM,PRAM,RRAM 등의 차세대메모리와 함께 비휘발성 메모리 소자로 유망하다고 볼 수 있다. 따라서 본 논문에서는 정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM
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메모리를 말하는데, 현 단계에서 상업화가 가능할 것이라고 내다보고 있는 메모리는 PRAM, FRAM, MRAM 3종류로 크게 가닥이 잡혀가고 있다. 이들 세 종류의 메모리는 시제품 단계에서 그 가능성을 검중 받고 있다. 플래시 램과 같은 비휘발성 메모
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비휘발성메모리로 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있음. 1. 강유전체 메모리 “FRAM”
2-1. 강유전체 재료
2-2. FRAM의 재료
2-3. FRAM의 원리
2-4. 타메모리와의 비교
3. FRAM의 전
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메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRA
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메모리의 기술 수준
6.결론
현재 비휘발성 상변화메모리 개발의 선두주자인 Intel/Ovonix의 실용화개발 계획에 따른면 제1세대 상변화 메모리는 빠르면 2005년-2006년경 이동전화,PDA, 모바일 PC 등의 휴대기기용 stand alone/embedded memory용으로 상용화
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비휘발성 메모리 기술이 개발되고 있다. 이것은 강유전성, 자성, 상변화, 또는 저항변화를 이용한 새로운 개념의 메모리이다. 현재 이러한 신기술은 시장에 본격적으로 진입하지 못하고 개발중인 상태이지만 이 중 일부는 틈새시장을 형성하
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자외선을 이용해 내용을 재기록하게 된다. 1. 메모리의 종류와 ROM 과 RAM 의 차이
2. ROM(Read Only Memory)
(1). ROM이란?
(2). ROM의 종류와 용도
3. RAM(Random Access Memory)
(1). RAM이란?
(2). RAM의 종류와 용도
4. 레포트 후기
5. 출처 및 참고자료
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