|
CMOS 반도체 공정에서는 400 - 450℃) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음 1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점
2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점
|
|
|
FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRAM 커패시터로서 요구되는 강유전 박막의 물성
6. 대표적인 강유전 박막과 신소재의
|
|
|
D램과 유사한 구조지만 전하의 저장하는 기능을 살려 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성과 고속성, 고집적성을 유지한다는 것이 신기할 따름이었다.
FRAM 에 대해 조사를 하다 신문기사 , 뉴스 등을 보았다.
FRAM 이 보다 일상 속에 많이 들어와
|
|
|
비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Me
|
|
|
1.강유전체 메모리(FRAM)란?
Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자.
강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
|
|
 |
비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이
|
|
메뉴펼치기
