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예상대로 온도가 증가함에 따라 전류가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 에서 전기전도도는 전류에 비례하기 때문에 위의 식을 통해 전기전도도도 증가한다고 유추할 수 있다.
§ 이론에 나온 식인 를 통해 온도가 증가함에 따라 전자의 밀도
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전하 운반자이다. 적정한 수의(+),(-) 전하운반자의 존재 때문에 실리콘은 금속과 절연체의 전기전도도의 중간값을 갖게된다.
3. 전도도(Conductivity)의 장치구조 및 설명
모델 명
YSI 3200
모델명 : YSI 3200
측정항목
전도도, 온도, 염도, 총용존고형
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운반자의 종류 판별에 이용된다. 한편 Hall소자의 전압강하 Vx를 측정하면 비저항( )를 계산한다.
비저항의 역수가 전하운반자의 전기전도도( )이므로 전하운반자의 이동도( )
를 구할 수 있다.
3. 실험장치
- 전류계
- Gaussmeter
- 직류전원 공급기
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전하 운반자는 증가하므로 전기 전도도가 증가한다.
3) P형 반도체
① Si, Ge 등과 같은 Ⅳ족 원소로 된 고유 반도체에 갈륨(Ga), 붕소(B), 인듐(In), 알루미늄(Al)과 같은 Ⅲ족 원소를 첨가한 반도체이다.
② 3가인 불순물을 어셉터(acceptor)라고 한다.
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운반자 이동도(μ, mobility)는 주어진 전기장내에서 반도체내 캐리어(전자, 정공)들이 얼마나 빠르게 움직이는지를 나타내는 것이다. 운반자들의 유효 질량에 대한 전하량과 평균 자유시간의 곱으로 나타낼 수 있다. μ = qτ/m* = Vd/E
전기전도도(
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