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터널링 디바이스 및
자연현상에서의의 터널링
Report
과목: 재료현대물리
담당교수: 김남철 교수님
학번:
이름:
제출일: 4월 28일 -주사터널링현미경 [scanning tunneling microscope(STM)]
NOR형 플래시 메모리
터널 다이오드 [ tunnel diode ]
-자연현
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메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
- 나노반도
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플래시메모리의 정의’
http://infodr.tistory.com/147
http://oojoo.egloos.com/1405701
http://www.mobileazit.com/acc/?msection=4&num_seq=40&class=Memory
http://www.woopaa.com/2007/02/08/memory-stick-8gb-de-sony/en/ Ⅰ. 플래시메모리란 ----------------------------- p. 3
Ⅱ. 플래시메모리
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NOR형(코드형)과 MP3P, DSC등에 사용되는 NAND형(데이터 저장형)으로 구분.
삼성, 스펜션, 도시바, 인텔 이외의 ST마이크로닉스, 인피니온 등이 신규로 가세, 치열한 시장경쟁 예상. 1.산업개요
2.기술동향
3.ITRS Flash Roadmap
4.세계시장동향
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플래시 메모리(Flash Memory)
Flash Memory란 전기적으로 데이터의 소거와 프로그램이 가능한 고집적 비휘발성 기억소자를 말한다. Flash Memory의 개념은 한 개의 트랜지스터로 셀을 구성하고 전기적 소거가 가능한 비휘발성 메모리로서 크게 NOR형 방
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