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토리소그래피 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR코팅 후의 소프트 베이킹, 노광 후의 post exposure baking, 현상 후의 하드 베이킹이 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판 제
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문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다. 1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론
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포토레지스트 및 배향막 등 디스플레이용 화학재료 사업을 올해부터 크게 강화할 예정이다. ▪ Photolithography의 정의
▪ Photolithography의 세부 공정 및 재료
TFT 부분
COLOR FILTER 부분
▪ Photolithography의 현 사용현황 및 기업
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시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레지스
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itive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼합
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리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의 면이 드러나고, 최저면과 최고면의 대조비가 큰 형상을
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포토리소그래피, 에칭, 박막성장 등을 배우면서 반도체공정의 기초를 익히고 그 응용분야에 대해 흥미롭게 배웠습니다. 그러나 화학공학을 전공한 제게 반도체공정 분야에 대한 진학은 큰 도전이었고 관련 전공자들 사이에서 자칫 비주류가
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포토리소그래피, 식각, 증착 등의 TFT 제작에 필수적인 공정 과정을 학습하며 트랜지스터 제작의 전체적인 흐름을 이해할 수 있었습니다.
2: 단위 공정에서 중요시되는 요소를 학습하며 각 공정에서 발생할 수 있는 문제와 이를 해결하는 기술
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