|
원소의 기본 스펙
http://100.naver.com/
6. 갈륨과 비소의 정보
http://blog.daum.net/keyoice/13257164 -서론
MOS 트랜지스터란?
트랜지스터의 발전동향
-본론
후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
최적의 반도체 재료 선정
|
- 페이지 5페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.07.26
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
1. Mos 트랜지스터란?
2. Mos 트랜지스터의 발전 동향.
본론
: 부제 - 재료 탐색
1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
1-1.Sn
1-2.Ge
1-3.Ga
1-4.As
1-5.InP
2. 결과_최적의 반도체 재료 선정
|
- 페이지 5페이지
- 가격 1,500원
- 등록일 2010.10.06
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
전자소자 외에도 원자·분자를 조작해 새로운 성질의 물질을 만들어내는 신소재, 생명공학을 나노기술에 응용하는 나노 바이오 분야에서도 경쟁력을 갖출 수 있을 것으로 내다보고 있다.
그림 4. 유기/무기 나노재료의 응용분야
결론적으로
|
- 페이지 20페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2004.01.04
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
최적화
2-6-4.고평탄화
2-6-5.고른평면형상
2-6-6.계면특성의 최적화
2-6-7.절연파괴강도
2-7.기능성 소재기반
2-7-1. 나노복합절연체 박막소재
2-7-2.박막화 기술
2-8.나노복합 절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene
|
- 페이지 23페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2009.12.14
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
영향
3. 용도
Ⅶ. 산화와 금속산화막반도체전계효과트랜지스터
1. 구조적 특징
2. 동작 특성
1) Depletion MOS FET
2) Enhancement type
3. Depletion type의 장점
4. Enhancement type의 장점
Ⅷ. 산화와 산화전분
1. 파열강도
2. 수직압축강도
참고문헌
|
- 페이지 14페이지
- 가격 7,500원
- 등록일 2013.07.19
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|