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and Hiroo Kinoshita, J.Vac.Sci.Technol.B 2914,1995 )
구성 : SR source, illumination optics, carbon filter, reflection mask, demagnifying optics, wafer
Numerical aperture (NA) : 0.1 , magnification : 1/5
○ X선 리소그래피(X-ray Lithography)
집적회로를 만들 때 중요한 부분에 사진기술이 사용
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and NaCl monocrystal for Bragg reflection…… 554 77
PC with Windows 9x/NT
실험방법
주의 : NaCl과 LiF 결정은 흡습성이 강하고, 상당히 무르기 때문에 건조한 곳에 보관하는 것이 좋다. 만약 측정비율이 너무 낮으면, target과 sensor사이 거리를 줄일 수 있다. 하지
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wafer
(3) adsorb (4) diffuse (5) decompose (6) the reaction by-products desorb
-PECVD를 이용한 실리콘 증착법
일반적으로 PECVD로 증착되는 필름은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitride (SiOxNy), silicon carbide (SiC), 그리고 비결정성(amorphous silicon, α-Si)
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wafer위에 shadow mask를 밀착시켜 고정한다.
(4) Rotary Pump를 작동하여 Chamber 내부 압력을 low 10-2 torr 이하로 만든다.
(5) Diffusion Pump를 작동하여 Chamber 내부 압력을 10-5 torr 이하로 만든다.
(6) 진공도가 low 10-5 torr 이하가 되면 텅스텐 boat에 전류를 인가
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wafer위에 shadow mask를 밀착시켜 고정한다.
(4) Rotary Pump를 작동하여 Chamber 내부 압력을 low 10-2 torr 이하로 만든다.
(5) Diffusion Pump를 작동하여 Chamber 내부 압력을 10-5 torr 이하로 만든다.
(6) 진공도가 low 10-5 torr 이하가 되면 텅스텐 boat에 전류를 인가
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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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Society, Guideline for Prevention and Management of Pressure Ulcers, Glenview, IL, 2-21,2002
JoAnn Maklebust, Mary. Y. Sieggreen: Pressure ulcers : Guidelines for prevention and Management, 3th Ed, pennsylvania: Springhouse, 58087, 2001 욕창 발생 보고서
욕창 위험 사정
욕창 예방 관리 지침
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3. 실험 방법
준비된 실리콘 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩
샘플 메인 쳄버에 로딩
주 공정챔버 :3x10-6torr 이하로 진공 분위기 만듬
MFC 밸브를 통해 working pressure 조절
RF power(전압)를 100W로 조절하여 Ar plasma 형성
체임버내에 주입되는 가스량
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웨이퍼 제조 및 가공 기술, 조립기술, 검사기술 등으로 구성되는데, IC 설계의 경우 고도의 설계기술이 필요하며, 공정기술의 경우 전자, 화학, 정밀가공 등 고난도의 복합기술을 필요로 한다. 제조과정에 250여 개 이상의 공정들이 개입되며, 40
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웨이퍼 제조 및 가공 기술, 조립기술, 검사기술 등으로 구성되는데, IC 설계의 경우 고도의 설계기술이 필요하며, 공정기술의 경우 전자, 화학, 정밀가공 등 고난도의 복합기술을 필요로 한다. 제조과정에 250여 개 이상의 공정들이 개입되며, 40
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