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전압과 전류등 상당히 고려할 사항이
많겠지만 간단한 회로 공작에서는 데이터시트로부터 Ic, Pc, 용도(AF, RF 등)의 정보만 얻고
최대정격의 1/2 범위에서 사용하면 안정된 회로를 만들 수 있다. 표 2 에서 같은 색상으로
표시된 TR 들은 규격
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OPAMP)) 제작
○ V(out) = V(in)*{1+(9volt/1volt)} = 10*V(in)
- 증폭이유
LM35로부터 받은 전압이 미비하기 때문
ⅱ) 마이크로프로세서(ATMEGA8) 개발환경
○ PD단자(0~7)을 순서에 맞게 LS47에 연결
○ PB단자(3~6)을 컴퓨터케이블에 연결
○ VCC,GND 연걸
ⅲ) 표시장
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전압이 출력된다.
2) opamp와 Photo diode를 조합한 광량측정기
이 제품은 Photo diode를 이용한 광량측정기로 그 출력값을 그래프로 표현하면 오른쪽과 같다. 그 결과 값으로 Photo diode의 감도를 알 수 있는데 800∼900 사이의 감도가 가장 뛰어나고 그
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(3) 입력 전압 조절
6. 정전류 전원회로
(1) OPAMP와 TR을 조합한 정전류 전원 회로
☆ 부 록 ☆
(1) 트랜지스터 도통테스터 및 전극 찾기
(2) 저항기의 용량 표기 및 판독법
(3) 콘덴서 용량 표기 및 판독법
(4) 회로도와 패턴도 보는 방법
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OPamp
1
5
Resistor
330옴
1K옴
2.2K옴
47K옴
300옴
10옴
100옴
47K옴
2.2K옴
510옴
1옴(0.5W)
8
1
2
2
2
6
2
4
4
2
4
6
Microcontroller
Atmega128
1
7
Header Pin
16*2
3
8
가변저항
10K옴
500옴
2
2
9
toggle switch
1
10
push switch
4
11
Xtal
16Mhz
1
12
Stepping motor
SST42D2120
1
13
실납
약간
14
양면 만
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TR
2-3 R/L/C-기본 소자 시뮬레이션 제작
1-전류전압(전압측정)
2-battery(내부저항)
3-Capacitor(충방전)
4-Inductor(릴레이복원특성).
5-Diode(diode6)
6-Transistor(Tran6)
7-OP-AMP(opamp01)
8-발진기 (Osc01-LC발진기)
9-Gate
12-OsCiloscope. 1.반도체 소자의 형명 및 판별법
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실험
[실험 1 : 입력 바이어스 전류]
[실험 2 : 출력 OFFSET 전압]
[실험 3 : 슬루율]
[실험 4 : 대역폭]
실험 20. 능동 필터
[실험 1 : 1차 저역 통과 필터]
[실험 2 : 2차 저역 통과 필터]
[실험 3 : 2차 고역 통과 필터]
2. 검토 및 보고사항
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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항
분석 : AC입력 저항 및 출력저항을 구하기 위하여 우선 입력부분의 전압을 구하고 전류를 구하여 저항을 구하였다. =0.06Ω이 된다. 출력저항은 입력저항과 마찬가지로 전압과 전류를 통하여 구하는데 이것은=1031Ω이 되는 것을 알 수 있다.
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증폭기는 전압 이득을 얻기 위해 사용되는 것이 아니고, 오히려 주로 임피던스 변환기나 전력 증폭기로 사용된다. 비반전 증폭기에서 저항 값을 조절하면 단위 이득 증폭기(unity-gain amp)가 얻어질 것이다. 출력이 입력을 ‘추적(follow)\' 하므로,
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