목차
1. 실험 목적
2. 이론 요약
3. 실험 내용 및 예상 결과
4. PSpice 시뮬레이션
5. 추가 조사 사항
2. 이론 요약
3. 실험 내용 및 예상 결과
4. PSpice 시뮬레이션
5. 추가 조사 사항
본문내용
회로를 완성한다.
실험 내용 및 예상 결과
(1)실험 내용
▲실험회로(기본 회로실험)
①위의 실험 회로를 구성하라. 저항 R1=R2=300[Ω], R3=150[Ω]을 각각 연결하라.
②부하저항 =330[Ω]을 연결하고, 직류전원 V1=12[V]를 인가하라.
③에 걸린 전압 을 측정하여 표에 기록하라.
④에 흐르는 전류 을 측정하여 표에 기록하라.
⑤실험회로에 대한 노턴 등가회로는 등가전류원 과 등가저항 으로 구성된다. 과 을 이론적으로 계산하여 그림과 표에 각각 기록하라.
▲실험회로(노턴 등가회로 실험)
①위의 노턴 등가회로를 실제로 구성하라. 과 은 기본 회로 실험과정 ⑤에서 계산한 값을 사용하라.
②에 걸린 전압 을 측정하여 표에 기록하라.
③을 흐르는 전류 을 측정하여 표에 기록하라.
④표에서 = 의 관계가 성립되는지 확인하라.
⑤표에서 = 의 관계가 성립되는지 확인하라.
(2)예상 결과
①기본회로실험으로 만들어지는 노턴 등가회로에서 등가전류원 = 20[mA], 등가저항 = 300[Ω]이다.
②에 걸린 전압 은 3.1[V]이고 이 값은 과 같을 것이다.
③에 흐르는 전류 는 9.5[mA]이고 이 값은 과 같을 것이다.
4. PSpice 시뮬레이션(1) 기본회로실험 시뮬레이션
▲전압측정 시 ▲전류측정 시
시뮬레이션 결과로 = 3.1[V], = 9.5[mA] 값을 얻는다.
(1) 노턴 등가회로 시뮬레이션
▲전압측정 시 ▲전류측정 시
시뮬레이션 결과로 = 3.1[V], = 9.5[mA] 값을 얻는다.
이 값은 기본 회로에 대한 시뮬레이션 결과와 같으며, 이로부터 노턴 등가회로의 등가성을 확인 할 수 있다.
5. 추가 조사 사항
복잡한 회로에 대해서 우리는 테브난 등가회로 또는 노턴 등가회로 등을 사용할 수 있다.
테브난의 정리는 부하를 제외한 회로 전체를, 단지 ‘독립 전압원’ 하나와 저항 하나가 ‘직렬’로 연결된 등가회로로 대체할 수 있다는 것이며 노턴의 정리는 테브난의 정리와 비슷하지만, 등가회로가 ‘독립 전류원’ 하나와 저항 하나가 ‘병렬’로 연결된 회로라는 점이 다르다.
테브난 등가회로와 노턴 등가회로는 서로 전원변환의 관계에 있다.
즉, 와 , 사이의 직접적인 관계는 이다.
[참고문헌 및 사이트]
Basic Engineering Circuit Analysis 10th Edition, J.D. Irwin, R.M.Nelms, Wiley
http://mathphysics.tistory.com/234
실험 내용 및 예상 결과
(1)실험 내용
▲실험회로(기본 회로실험)
①위의 실험 회로를 구성하라. 저항 R1=R2=300[Ω], R3=150[Ω]을 각각 연결하라.
②부하저항 =330[Ω]을 연결하고, 직류전원 V1=12[V]를 인가하라.
③에 걸린 전압 을 측정하여 표에 기록하라.
④에 흐르는 전류 을 측정하여 표에 기록하라.
⑤실험회로에 대한 노턴 등가회로는 등가전류원 과 등가저항 으로 구성된다. 과 을 이론적으로 계산하여 그림과 표에 각각 기록하라.
▲실험회로(노턴 등가회로 실험)
①위의 노턴 등가회로를 실제로 구성하라. 과 은 기본 회로 실험과정 ⑤에서 계산한 값을 사용하라.
②에 걸린 전압 을 측정하여 표에 기록하라.
③을 흐르는 전류 을 측정하여 표에 기록하라.
④표에서 = 의 관계가 성립되는지 확인하라.
⑤표에서 = 의 관계가 성립되는지 확인하라.
(2)예상 결과
①기본회로실험으로 만들어지는 노턴 등가회로에서 등가전류원 = 20[mA], 등가저항 = 300[Ω]이다.
②에 걸린 전압 은 3.1[V]이고 이 값은 과 같을 것이다.
③에 흐르는 전류 는 9.5[mA]이고 이 값은 과 같을 것이다.
4. PSpice 시뮬레이션(1) 기본회로실험 시뮬레이션
▲전압측정 시 ▲전류측정 시
시뮬레이션 결과로 = 3.1[V], = 9.5[mA] 값을 얻는다.
(1) 노턴 등가회로 시뮬레이션
▲전압측정 시 ▲전류측정 시
시뮬레이션 결과로 = 3.1[V], = 9.5[mA] 값을 얻는다.
이 값은 기본 회로에 대한 시뮬레이션 결과와 같으며, 이로부터 노턴 등가회로의 등가성을 확인 할 수 있다.
5. 추가 조사 사항
복잡한 회로에 대해서 우리는 테브난 등가회로 또는 노턴 등가회로 등을 사용할 수 있다.
테브난의 정리는 부하를 제외한 회로 전체를, 단지 ‘독립 전압원’ 하나와 저항 하나가 ‘직렬’로 연결된 등가회로로 대체할 수 있다는 것이며 노턴의 정리는 테브난의 정리와 비슷하지만, 등가회로가 ‘독립 전류원’ 하나와 저항 하나가 ‘병렬’로 연결된 회로라는 점이 다르다.
테브난 등가회로와 노턴 등가회로는 서로 전원변환의 관계에 있다.
즉, 와 , 사이의 직접적인 관계는 이다.
[참고문헌 및 사이트]
Basic Engineering Circuit Analysis 10th Edition, J.D. Irwin, R.M.Nelms, Wiley
http://mathphysics.tistory.com/234
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