목차
1.JFET의 구조
2.JFET의 동작원리 및 출력특성
3.JFET의 전달특성(transfer characteristic)
4.사용처
2.JFET의 동작원리 및 출력특성
3.JFET의 전달특성(transfer characteristic)
4.사용처
본문내용
nsfer characteristic은 VDS를 일정하게 만든상태에서 VGS와 포화전류 ID의 관계를 나타낸 것이다. 전달 특성은 Shockley방정식이라 불리는 다음의 식으로 표현이 된다.
여기서, IDSS : 드레인-소스 포화전류(=0일 때)
Vp : pinch off voltage
전달 특성 곡선은 위에서 언급한 Shockley 방정식에 의해서 직접 구할 수 있으며, 그림 11-8과 같이 출력 특성 곡선으로부터 구할 수도 있다.
P채널 FET
P채널 FET는 N 채널 FET와 동일한 구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
사용처
JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로 사용하기에 매우 적합하다. 이런 타입의 증폭기는 트랜스임피던스 애플리케이션에 이상적인 특성을 나타낸다. 낮은 전류 노이즈와 신호왜곡 특성은 오디오 및 고주파수 애플리케이션용으로도 안성맞춤이다. 온도에 따른 입력 임피던스의 변화, DC 성능, 전압 성분 노이즈 특성은 JFET 증폭기 애플리케이션 사용의 한계 특성으로 작용한다. 일반적으로 JFET 증폭기는 AC 성능이 가장 중요할 때 사용된다.
Difet 혹은 절연형(dielectrically isolated) FET 연산 증폭기는 바이폴라 및 JFET 증폭기의 장점들을 제공한다. 동시에 DC 정밀도와 JFET의 AC 특성도 함께 제공한다. 실제로 이런 타입의 공정 기술은 때때로 최고의 성능을 낼 수도 있다.
여기서, IDSS : 드레인-소스 포화전류(=0일 때)
Vp : pinch off voltage
전달 특성 곡선은 위에서 언급한 Shockley 방정식에 의해서 직접 구할 수 있으며, 그림 11-8과 같이 출력 특성 곡선으로부터 구할 수도 있다.
P채널 FET
P채널 FET는 N 채널 FET와 동일한 구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
사용처
JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로 사용하기에 매우 적합하다. 이런 타입의 증폭기는 트랜스임피던스 애플리케이션에 이상적인 특성을 나타낸다. 낮은 전류 노이즈와 신호왜곡 특성은 오디오 및 고주파수 애플리케이션용으로도 안성맞춤이다. 온도에 따른 입력 임피던스의 변화, DC 성능, 전압 성분 노이즈 특성은 JFET 증폭기 애플리케이션 사용의 한계 특성으로 작용한다. 일반적으로 JFET 증폭기는 AC 성능이 가장 중요할 때 사용된다.
Difet 혹은 절연형(dielectrically isolated) FET 연산 증폭기는 바이폴라 및 JFET 증폭기의 장점들을 제공한다. 동시에 DC 정밀도와 JFET의 AC 특성도 함께 제공한다. 실제로 이런 타입의 공정 기술은 때때로 최고의 성능을 낼 수도 있다.