물리단어정리

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목차

1. amorphous
2. poly crystalline
3. crystalline
4. lattice
5. unit cell
6. ingot
7. carrier
8. electron
9. hole
10. conduction band
11. valence band
12. band gab
13. effctive mass
14. intrinsic semiconductor
15. extrinsic semiconductor
16. dopant
17. donor
18. acceptor
19. N-type material
20. P-type material
21. N+(or P+) material
22. majority carrier
23. minority carrier
24. density of state
25. fermi function
26. Fermi energy (or level)
27. Nondegenerate semiconductor
28. Degenerate semiconductor
29. charge netrality
30. ionisation of dopant sites
31. extrinsic temperature region
32. Intrinsic temperature region
33. freeze-out
34. drift
35. scattering
36.drift velocity
37. thermal motion
38. drift current
39. current density
40. mobility
41. resistivity
42. conductivity
43. band bending
44. diffusion
45. diffusion current
46. diffsion constant
47. recombination
48. generation
49. photogeneration
50. direct thermal R-G
51. indirect thermal R-G
52. R-G center
53. low level injection
54. equilibrium
55. perturbation
56. steady state
57. quasi steady state
58. minority carrier lifetime
59.minoritycarrier diffusion length
60. quasi-fermi level

본문내용

있다.
8. electron
물질을 형성하고 있는것은 100여종이 되는 원자와 그들이 화학적으로 결합된 화합물인데, 원자는 다시 ‘+’의 전기를 띤 원자핵을 중심으로 원자의 종류에 따라서 정해지는 수의 전자가 그 주위를 돌고 있다고 생각된다. 전자는 e=1.6*10-19C의 ‘-’전하를 띤 미소한 입자로서 질량은 m=9.11*10-28g 이다. 원자핵에 속박된 전자는 원자핵에서 떨어질수 없지만 원자핵의 속박력이 약한 전자는 약간의 전계가 가해져도 원자핵의 속박력을 벗어나 양극
쪽으로 이동하여 전기를 운반한다.
금속 내부에 있는 전자를 금속 밖으로 끄러내려면 어떤 장벽을 넘을 수 있을 만큼의 에너지를 가해 줄 필요가 있다. 이 에너지가 열고서 주어지는 것이 진공관 등에 의 한 열전자 방사이고 빛으로 주어지는 것이 광전관 등에 의한 광전자 방사의 현상이다.
9. hole
원자속의 전자의 배열에서 전자가 튀어 나간뒤의 구멍을 뜻하는 것으로, 원래 중성 이었던 것이 ‘-’의 전기를 띤 전자가 빠져 나감으로서, 그 뒤에 남는 구멍 즉 호울은 ‘+\'의 전기를 띠게 된다. 이 때문에 이 구멍을 포지터브 호울 또는 정공이라고도 한다.
‘+’의 호울은 가까이에 있는 ‘-’의 전자를 끌여들어 중성으로 되려고 한다. 옆자리의 전자를 끌어들인 최초의 호울은 소멸 하지만. 그 옆자리의 전자가 있던 곳에서는 새로운 호울이 생긴다. 이 호울은 다시 그 옆자리의 전자를 끌어들여 소멸 되고 그 옆자리에 새로운 호울을 만들어 낸다. 이러한 과정이 차례차례로 옆자리로 옮아가서 결과적으로는 호울이라는 ‘+’의 전기가 이동한 셈이 된다.
10. conduction band
결정이 갖는 전자의 에너지 상태를 에너지 대로 표현했을 때, 가장 에너지 값이 작은 즉 맨윈에 있는 에너지대 로서, 수용 가는한 수의 전자로 충만되어 있지 않은 상태에 있는 에너지 대를 전도대하고 한다.
수용 가능한 수로 충만되어 있지 않은 상태의 에너지대에 있는 전자가 전기 전도에 기여하기 대문에 충만되어 있는 전자는 속박전자 이므로 전기 전도에는 기여하지 않는다.
전도대에 전자가 없는 물질에서 전기 전도성이 생기기 위해서는 가전자데에 있는 전자또는 도우너 레벨에 잇는 전자가 어떤 에너지를 얻어서 금지대를 뛰어 넘어 전도대에 오를 필요가 있는데 이 현상이 ‘여기’이다.
11. valence band
반도체 결정의 원자가 가지고 있는 전자는 여러가지 에너지 상태를 취하는데 그 모양을 여러가지 대로 분석해보면 전자가 꽉 차있는 에너지대, 즉 충만대와 전자가 들어있지 않든가 또는 들어 있어도 꽉차 있지 않은 에너지대 즉, 전도대 그리고 전자가 들어 갈 수 없는 이른바 금지대로 나누어 진다. 전자는 에너지 상태가 낮은 쪽으로 부터 순서대로 충만되어 가는데 완전히 충만된 에너지대의 전자는 전계를 걸어도 움직일 수 없으모로 전기 전도의 역활을 하지 못한다.
가장위의 레벨에 있는 전자는 최외곽 전자에 해당하며, 결정격자를 이루고 견고하게 결합된어 있기 때문에 움직일수 없다. 그래서 공유결합을 이루고 있는 전자가 수용되어 있는 충만대를 가전자대 라고도 한다.
12. band gab
물질을 구성하는 원자가 갖는 전자는 몇개의 궤도로 나누어서 원자핵 둘레를 돌고 있기 때문에 전자는 정해진 궤도에 상당하는 어떤 일정한 에너지 상태를 가지고 있다. 이전자가 갖는 에너지 값은 연속적인 값이 아니라 어떤 정해진 띄엄 띄엄의 값밖에 취할수 없다.
이 전자의 에너지 상태를 에너지대의 그림으로 보면 고체와 같이 원자간 거리가 작게 밀집되어 있는 것에서는 전자가 취할 수 있는 에너지는 단일 값의 level이 아니라 어떤 나비를 가진 대로 되어있다.
전자가 취할 수 있는 에너지의 폭이 띄엄띄엄 이고 그 사이에는 전자가 취할수 없는 에너지의 폭이 있다. 이 전자가 취할수 없는 에너지 값의 범위를 금지대 또는 금제대라고 한다.
13. effctive mass
진공중의 전자에 외력이 작용하면 운동 방정식은 뉴톤의 제 2법칙에 의해 F= ma 로 주어진다 그러나 결정내에 있는 전자의 운동은 외력만이 아니고 결정 격자로 부터도 힘을 받게 되므로 결정내의 전자의 운동을 다룰 때에는 결정격자로 부터 받는 힘을 m또는 a 어느쪽을 포함하지 않으면 안된다. 이때 m을 포함 할대의 질량을 유효질량이라 부르며 일반적으로 m*로 나타낸다.
14. intrinsic semiconductor
반도체 속에 정전하인 호울과 부전하인 전자를 같은 수만큼 포함하고 있는 것을 진성 반도체라고 한다.
순도가 매우 높은 게르마늄이나 실리콘은 주위 온도의 열 에너지에 의해서 호울과 전자의 쌍이 재결합하여 소멸됨으로써 본래의 중성으로 되돌아가는 과정을 반복하고 있다.
온도를 일정하게 하면 이 발생과 소멸은 일정한 비율로 되며, 전체적으로 볼때 발생쪽이 많으므로 항상 일정한 양의 호울과 전자의 쌍을 포함하게 된다. 따라서 이와 같은 순도가 높은 게르마늄이나 실리콘은 호울과 전자가 같은수이기 때문에 진성 반도체이다.
15. extrinsic semiconductor
트랜지스터나 다이오드에 사용되는 것을 불순물 반도체라 하며 순수한 반도체에 불순물을 극소량 혼입한 것이다. 비저항은 첨가하는 불순물의 종류와 양에 따라서 다르지만 보통 트랜지스터나 다이오드에 사용되는 반도체 재료의 비저항은 수 Ω.cm 에서 수 10 Ω.cm 정도이다.
이 경우 첨가하는 불순물의 종류에 따라서 두종류으 전혀 다른 것이 얻어진다. 5가의 불순물(인,비소,안티몬) 등을 첨가하면 N형 반도체, 3가의 불순물(보론,갈륨,인듐)을 첨가하면 P형 반도체가 된다.
16. dopant
반도체 속에 불순물을 주입(확산,이온 임플렌테이션등에 의해서) 하는 것을 dopant라고 하며, 주입되는 불순물을 도우펀트 라고 한다.
17. donor
5가의 원자 다시말해서 5개의 가전자를 가지고 있는 원자를 게르마늄이나 실리콘과 같이 다이어먼드 격자를 이루는 반도체 결정속에 불순물로서 미량 투입하면 이 반도체는 N형으로 된다. 5가의 원자가 공유결합을 하기 위해서는 가전자가 하나 남게 된다. 이 남은 가전자는 반도체 결정의 공유결합에 관여하지 않기 때문에 원자와

키워드

물리단어,   steady state,   amorphous,   lattice,   photogeneration,   R-G center,   물리,   diffusion