목차
1. 서론
2. 중첩의 원리
3. 치환, 가역 그리고 밀만의 정리
2. 중첩의 원리
3. 치환, 가역 그리고 밀만의 정리
본문내용
수 있다. 모든 독립 변수와 구하고자
하는 회로망의 변수에 따라 종속되지 않는 변수는 0으로 놓는다.
그리고
rm bold Z_N = { bold E _g } over { bold I }_g
(14.11)
후자의 접근에서, 노턴 전류는 단락 회로 전류에 의해 결정된다.
14.5 최대 전력 전달 이론(Maximum Power Transfer Theorem)
교류 회로에 최대 전력 전달 이론이 적용될 때, 다음과 같은 정의를 내릴 수 있다.
최대 전력은 부하 임피던스가 단자를 가로 지르는 테브난 임피던스의 공액이 될 때 전달된다.
그림 18.79에서 부하에 대한 최대 전력 전달은 다음과 같다.
Z_L = Z_Th~ ~그리고~ ~theta_L = -theta_Th_Z
(14.12)
혹은 직각 좌표계에서,
R_L = R_Th ~~그리고~~ +-j X_{rm load} = -+jX_Th
(14.13)
여기서 언급된 조건들은 그림 18.80에 나타난 것처럼 순수한 저항성 임피던스를 갖는 회로를 만들 것이다.
{rm bold Z }_T = (R +- j`X ) + ( R -+ j`X )
그리고
{rm bold Z }_T = 2 R
(14.14)
회로가 순수 저항성이기 때문에 최대 전력 조건 하에서 회로의 역률은 1이다. 이 말은,
F_p = 1
(최대 전력 전달) (14.15)
그림14.3 ZL에 최대전력 전달조건
그림 14.3에 나타난 전류
rm bold I
의 크기는 다음과 같다.
I = E_Th over Z_T = E_Th over 2R
부하에 대한 최대 전력은 다음과 같다.
P_max = I^2 R = LEFT ( {E_Th } over 2R RIGHT )^2 ~R
그리고
P_max = E_Th^2 over 4R
(14.16)
만약 부하 리액턴스의 크기를 조절할 수는 있지만, 부하의 리액턴스를 테브난 리액턴스 크기와 같게 조정할 수 없다면, 부하에 전달되는 최대 전력은 부하 리액턴스가 테브난 리액턴스와 최대로 가까워지고 부하저항이 다음 값으로 놓일 때 발생한다.
R_L = root{ R_Th^2 + (X_Th + X_{rm load})^2 }
(14.17)
여기서, 각각의 리액턴스는 유도성일 때 양의 부호이고, 용량성일 때 는 음의 부호가 된다. 전달되는 전력은 다음과 같다.
P = E_Th^2 /4R_{rm av}
(14.18)
여기서
R_{rm av} = {R_Th + R_L } over 2
(14.19)
위의 방정식의 유도는 본 교재의 부록 H에 나온다. 다음에 나오는 예제에서 윗식을 사용하고 있다.
14.6 치환, 가역 그리고 밀만의 정리
(Substitution, Reciprocity, and Millman\'s Theorems)
이 장의 서론에 나타난 것처럼, 치환, 가역 정리와 밀만의 정리는 여기서 상세히 고려하지 않을 것이다. 제9장의 상세한 설명은 어려움 없이 정현 교류 회로에 이러한 이론들을 적용하게 만든다. 이러한 정리를 사용하는 문제들이 이 절에 많이 나타나 있다.
\"끝\"
하는 회로망의 변수에 따라 종속되지 않는 변수는 0으로 놓는다.
그리고
rm bold Z_N = { bold E _g } over { bold I }_g
(14.11)
후자의 접근에서, 노턴 전류는 단락 회로 전류에 의해 결정된다.
14.5 최대 전력 전달 이론(Maximum Power Transfer Theorem)
교류 회로에 최대 전력 전달 이론이 적용될 때, 다음과 같은 정의를 내릴 수 있다.
최대 전력은 부하 임피던스가 단자를 가로 지르는 테브난 임피던스의 공액이 될 때 전달된다.
그림 18.79에서 부하에 대한 최대 전력 전달은 다음과 같다.
Z_L = Z_Th~ ~그리고~ ~theta_L = -theta_Th_Z
(14.12)
혹은 직각 좌표계에서,
R_L = R_Th ~~그리고~~ +-j X_{rm load} = -+jX_Th
(14.13)
여기서 언급된 조건들은 그림 18.80에 나타난 것처럼 순수한 저항성 임피던스를 갖는 회로를 만들 것이다.
{rm bold Z }_T = (R +- j`X ) + ( R -+ j`X )
그리고
{rm bold Z }_T = 2 R
(14.14)
회로가 순수 저항성이기 때문에 최대 전력 조건 하에서 회로의 역률은 1이다. 이 말은,
F_p = 1
(최대 전력 전달) (14.15)
그림14.3 ZL에 최대전력 전달조건
그림 14.3에 나타난 전류
rm bold I
의 크기는 다음과 같다.
I = E_Th over Z_T = E_Th over 2R
부하에 대한 최대 전력은 다음과 같다.
P_max = I^2 R = LEFT ( {E_Th } over 2R RIGHT )^2 ~R
그리고
P_max = E_Th^2 over 4R
(14.16)
만약 부하 리액턴스의 크기를 조절할 수는 있지만, 부하의 리액턴스를 테브난 리액턴스 크기와 같게 조정할 수 없다면, 부하에 전달되는 최대 전력은 부하 리액턴스가 테브난 리액턴스와 최대로 가까워지고 부하저항이 다음 값으로 놓일 때 발생한다.
R_L = root{ R_Th^2 + (X_Th + X_{rm load})^2 }
(14.17)
여기서, 각각의 리액턴스는 유도성일 때 양의 부호이고, 용량성일 때 는 음의 부호가 된다. 전달되는 전력은 다음과 같다.
P = E_Th^2 /4R_{rm av}
(14.18)
여기서
R_{rm av} = {R_Th + R_L } over 2
(14.19)
위의 방정식의 유도는 본 교재의 부록 H에 나온다. 다음에 나오는 예제에서 윗식을 사용하고 있다.
14.6 치환, 가역 그리고 밀만의 정리
(Substitution, Reciprocity, and Millman\'s Theorems)
이 장의 서론에 나타난 것처럼, 치환, 가역 정리와 밀만의 정리는 여기서 상세히 고려하지 않을 것이다. 제9장의 상세한 설명은 어려움 없이 정현 교류 회로에 이러한 이론들을 적용하게 만든다. 이러한 정리를 사용하는 문제들이 이 절에 많이 나타나 있다.
\"끝\"
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