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목차
1.MOS소개 및 CMOS process
2.p-Well pormation
3.n-well pormation
4.twin-well pormation
5.latch-up??
2.p-Well pormation
3.n-well pormation
4.twin-well pormation
5.latch-up??
본문내용
Conventionally diffused p-well
- 고온과 긴 성장 시간을 필요로한다.
Implanted p-well
열 확산에의해 형성된 우물에비해 저온으로 단시간에 우물을 형성할 수 있다.
측면 확산을 줄이고 소자밀도 증가
하부 근처에서 높은 도핑농도를 갖기 때문에 우물저항성이 열 확산된 우물보다 낮아 latch-up 문제 최소화가능.
- 고온과 긴 성장 시간을 필요로한다.
Implanted p-well
열 확산에의해 형성된 우물에비해 저온으로 단시간에 우물을 형성할 수 있다.
측면 확산을 줄이고 소자밀도 증가
하부 근처에서 높은 도핑농도를 갖기 때문에 우물저항성이 열 확산된 우물보다 낮아 latch-up 문제 최소화가능.
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- 페이지수18페이지
- 등록일2007.04.10
- 저작시기2006.8
- 파일형식파워포인트(ppt)
- 자료번호#403453
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