목차
① FPM RAM (Fast Page-Mode RAM)
② EDO DRAM (Extended Data Output DRAM)
③ BEDO RAM (Burst EDO RAM)
④ SDRAM (Syncronus DRAM)
⑤ SLDRAM
⑥ RDRAM (Rambus DRAM)
⑦ DDR-SDRAM
② EDO DRAM (Extended Data Output DRAM)
③ BEDO RAM (Burst EDO RAM)
④ SDRAM (Syncronus DRAM)
⑤ SLDRAM
⑥ RDRAM (Rambus DRAM)
⑦ DDR-SDRAM
본문내용
으로 표기하기도 하고, PC1600, PC2100, PC2700으로 표기하기도 한다. PCxxxx의 뒤 4자리 숫자는 대역폭을 의미하며 대역폭은 해당 통신규격에서 낼 수 있는 최대 전송 속도을 말한다. PC1600의 1600은 100MHz DDR로 동작하는 x86 호환 PC에 장착할 수 있는 DDR SDRAM의 최대 전송속도이다. 최근에 생산되는 램은 DDR SDRAM이다.
그림 4. DDR-SDRAM
아래의 DDR-II 메모리는 인텔의 차세대 칩셋인 i915이상의 칩셋에 사용 가능한 BGA타입 메모리로서, DDR 메모리와 다른 240핀으로 구성되며 고속의 533MHz로 동작한다. 또한 고속으로 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 안정적인 메모리 성능을 구현하기 위한 히트 스프레더가 장착되어 있다. 1GB 키트는 듀얼 채널 구성 시 최상의 성능과 가장 안정적인 메모리 환경을 구현하기 위해 메모리 특성이 가장 유사한 메모리를 패키지로 구성한 메모리이다. (512MB * 2개)
DDR 메모리와 비교하여 메모리 모듈 중앙의 홈의 위치나 접점의 폭과 개수 등이 다르기 때문에 기존 DDR 메모리 소켓에는 장착이 불가능하다.
그림 5. DDR-II 메모리
그림 4. DDR-SDRAM
아래의 DDR-II 메모리는 인텔의 차세대 칩셋인 i915이상의 칩셋에 사용 가능한 BGA타입 메모리로서, DDR 메모리와 다른 240핀으로 구성되며 고속의 533MHz로 동작한다. 또한 고속으로 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 안정적인 메모리 성능을 구현하기 위한 히트 스프레더가 장착되어 있다. 1GB 키트는 듀얼 채널 구성 시 최상의 성능과 가장 안정적인 메모리 환경을 구현하기 위해 메모리 특성이 가장 유사한 메모리를 패키지로 구성한 메모리이다. (512MB * 2개)
DDR 메모리와 비교하여 메모리 모듈 중앙의 홈의 위치나 접점의 폭과 개수 등이 다르기 때문에 기존 DDR 메모리 소켓에는 장착이 불가능하다.
그림 5. DDR-II 메모리
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