반도체 제조 공정

소개글

반도체 제조 공정에 대한 보고서 자료입니다.

목차

반도체 제조 공정의 역사

현재 반도체 제조공정 수준

반도체 제작 공정

본문내용

반도체 제조 공정의 역사
반도체 제조공정의 발달로 인하여 반도체소자는 저면적, 고속화
1800년대 처음으로 반도체물질을 발견( PbS, ZnSb, AgS )
1906년 실리콘이 처음으로 사용됨
1930년 junctions의 정류작용을 이론적으로 정립함
1947년 Brattain, Bardeen, Shockley 가 point contact transitor를 만듬
1948년 bipolar junction transistor의 동작원리를 이론적으로 설명-Shockley
1951년 포토레지스트 기술이 트랜지스터공정에 처음으로 사용됨
1954년 상업적으로는 처음으로 실리콘 bipolar transistor가 사용됨
1958년 집적회로 개발
1959년 planar 실리콘 IC와 planar process의 발명
1960년 MOS의 발명
1961-1962년 RTL, DTL, ECL, TTL등이 발표됨
1963년 CMOS , 처음으로 single crystal silicon-on-sapphire (SOS).
1966년 TI에서 처음으로 MOS IC를 사용(binary-to-decimal decoder)
1967년 최초로 CMOS/SOS 회로가 발표됨
1968년 MOS 메모리 집적회로가 처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표

키워드

반도체,   반도체제조공정,   제조공정