[전자회로]J-FET의 특성

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목차

1.관련이론

2.실험내용

본문내용

의 게이트회로를 그림8(a)의 회로로 바꾸어라. 스위치 S2는 개방한다.
(7) VDD와 VGG를 0V로 맞추고, 스위치 S1, S2를 닫아 전원을 넣는다.
(8) VGS=-0.25V가 되도록 VGG를 조정한다. 실험순서 (9), (10)에서도 이 전압치를 유지한다.
(9) VDS=0V일 때 ID를 측정하여 표1에 기록한다.
(10) 표1에 열거한 VDS값이 되도록 차례로 VDD를 조정하고, VDS의 각 값에 대한 ID를 측정하여 표1에 기록한다.
(11) VDD를 0V로 낮추고, VGG를 -0.5V로 증하시키며, 실험순서 (12)에서도 이 전압치를 유지한다.
(12) 표1에 열거한 VDS의 각 값에 대하여 실험순서 (9)와 (10)을 반복한다.
(13) 표1에 열거된 VGS와 VDS의 각 값에 대하여 실험순서 (11), (12)를 반복한다. 드레인전류가 차단될 때까지 시행한다.
(14) 전원을 끈다.
ID[mA]
VGS[V]
VDS[V]
0
-0.25
-0.5
-0.75
-1.0
-1.25
0
0.005
0.002
0.002
0.001
0
0
0.5
0.814
0.621
0.408
0.197
0.038
0
1.0
1.250
0.867
0.498
0.209
0.039
0
1.5
1.398
0.915
0.510
0.212
0.040
0
2.0
1.436
0.928
0.516
0.214
0.040
0
2.5
1.450
0.936
0.518
0.215
0.040
0
ID[mA]
VGS[V]
VDS[V]
0
-0.25
-0.5
-0.75
-1.0
-1.25
3.0
1.459
0.940
0.521
0.216
0.041
0
3.5
1.466
0.944
0.523
0.217
0.041
0
4.0
1.470
0.947
0.524
0.217
0.041
0
4.5
1.474
0.948
0.526
0.217
0.041
0
5.0
1.477
0.950
0.527
0.218
0.042
0
7.0
1.486
0.957
0.530
0.220
0.043
0
9.0
1.490
0.959
0.533
0.221
0.043
0.001
11.0
1.494
0.962
0.535
0.222
0.043
0.001
13.0
1.496
0.965
0.537
0.223
0.043
0.001
15.0
1.496
0.966
0.537
0.224
0.043
0.002
다) 전 달 특 성
(15) 스위치 S1과 S2를 개방한다. VDD=15V, VGG=-2.5V로

키워드

J-FET,   전자회로,   FET,   특성